"D램 세계1위 탈환" TF 꾸린 삼성전자... 7세대 양산 '가속'

삼성전자가 차세대 메모리인 10나노미터(1nm=10억분의1m) 7세대 D램(1d) 양산을 위한 태스크포스(TF)를 꾸린 것으로 확인됐다. 메모리 초격차 전략 재가동이다. 삼성전자는 고대역폭메모리(HBM)4 개발을 승부처로 삼고, 이의 기반이 되는 메모리 근원 경쟁력 확보에 총력을 다한다는 입장이다. 이를 통해 '글로벌 D램 시장 1위' 지위를 재탈환하겠다는 각오다.

23일 반도체 업계에 따르면 삼성전자 반도체(DS)부문 메모리사업부는 10나노 7세대 D램(1d) 양산의 막바지 프로세스아키텍처(PA) 단계를 담당하는 TF를 새로 꾸리고, 내부적으로 인력 충원을 실시했다. 현재 삼성전자 반도체연구소 내에는 D램 기술개발(TD) 조직과 D1d 개발을 담당하는 팀이 운영되고 있으며, 이번 TF 가동을 통해 제품 완성도를 높이고 차세대 D램 양산에 속도를 내겠다는 구상이다. 본지 취재 결과 삼성전자 반도체연구소는 이와 별개로 10나노보다 더 정교한 한자릿수 '극미세 D램 공정 전담 TF'도 가동하고 있는 것으로 파악됐다. 업계에서는 삼성전자 '초격차 전략 재가동'이라는 해석을 내놓고 있다.

고밀도·고성능 D램은 HBM 시장의 게임 체인저가 될 '6세대 HBM4' 양산에 필수적인 제품이다. D1d는 일부 메모리사가 개발에 성공했다고 언급한 D1c보다 더 미세한 기술력이 필요한 공정으로 불린다. 10나노급 D램 공정은 1x(1세대)-1y(2세대)-1z(3세대)-1a(4세대)-1b(5세대)-1c(6세대) 순으로 개발돼 왔다. 다음 세대로 넘어갈수록 반도체 회로 선폭이 좁아져 성능 및 에너지 효율이 높아진다. 1d D램은 1c 다음 세대 제품이다.

업계 관계자는 "경쟁사에 뒤처질 수 있다는 위기감 속에서 차세대 제품에서는 실기하지 않겠다는 삼성전자의 의지"라며 "미세 공정은 수율(양품비율) 확보가 관건인 만큼 완성도 높은 제품을 양산하기 위해 인력을 집결하는 것"이라고 전했다.

한편 삼성전자는 올해 1·4분기 글로벌 D램 시장에서 점유율 1위 자리를 SK하이닉스에 내어준 상태다.

soup@fnnews.com 임수빈 권준호 기자