전영현 삼성전자 부회장 "HBM3 과오 되풀이 하지 않을 것"

삼성전자 주주총회에서 반도체부문 주주 지적에
"주가 부진, 반도체 성과에 좌우…송구스럽다"
"HBM3E 12단 올해 2분기 램프업시킬 것" 강조

[수원=이데일리 김소연 공지유기자] 전영현 삼성전자(005930) 반도체 DS 부문장(부회장)은 19일 열린 주주총회에서 “삼성전자 주가 부진은 반도체 성과에 좌우한다고 본다”며 “주가부진으로 주주들의 심려를 끼쳐드린 점 다시 한 번 송구스럽다”고 말했다.

전 부회장은 다만 올해 하반기부터는 계획대로 D램·낸드플래시 수요가 회복됨에 따라 실적 개선이 이뤄지리라 판단했다. 고대역폭메모리(HBM)과 관련해서도 올해는 작년보다 공급이 두 배 늘어나리라 설명하며, HBM3와 같은 과오 되풀이 하지 않을 것이라고 강조했다.

전영현 삼성전자 반도체 DS 부문장(부회장)은 19일 열린 주주총회에서 DS 사업 경영전략에 대해 주주들에게 설명했다. (사진=삼성전자)

그는 “다가올 시장이 HBM4와 커스텀HBM시장”이라며 “새로운 시장에 있어서 작년에 있었던 HBM3와 같은 과오를 되풀이 하지 않기 위해 올해 하반기 양산 목표로 차질 없이 계획대로 개발을 진행하고, 양산하겠다”고 말했다.

주가 부진에 대해서는 인공지능(AI) 메모리 반도체에서 초기 대응이 늦었음을 인정했다. 전 부회장은 “주가 부진의 가장 큰 영향이 AI 반도체 시장에 대해 초기 대응이 늦었던 것”이라며 “주력 메모리 제품 수익성 개선이 늦어지고 미중 무역갈등에 따라 글로벌 반도체 시장 불확실성 증가했다”고 설명했다. 이어 “난관을 극복하기 위해 내부 제품 완성도를 강화하고, 작년 조직 개편을 통해 전사적인 노력을 기울이고 있다”며 “빠르면 올해 2분기, 하반기에 고객 수요에 따라 HBM3E 12단 램프업을 시킬 것”이라고 했다.

중국 메모리 업체들의 공세에 대해서도 기술적으로는 여전히 우위에 있음을 설명했다. 전 부회장은 “중국 업체들은 아직 기술력 부족에 따라 DDR4나 LPDDR4같은 로우엔드 시장에 진입하고 있고 그 시장에서는 어느 정도 경쟁 상황 벌어지고 있다”며 “그렇지만 고부가 시장인 하이엔드 시장을 중심으로 예를들어 HBM, DDR5, LPDDR5, 고성능 서버향 SSD같은 제품 판매 더 확대하면서 중국 업체에서 역점 두고 있다”고 말했다. 이어 “현재 생산하는 DDR4, LPDDR4 같은 로우엔드 제품은 수요 따라 탄력적으로 대응하고, 중심을 하이엔드 제품에 둬서 운영해나갈 것”이라고 답했다. 선단 공정을 빨리 개발하고, 차별화 기술을 개발해 대응하겠다는 설명이다.

파운드리(반도체 위탁 생산)부문에 대해서도 주주들이 지적이 이어짐에 따라 경영진이 나서서 설명했다. 한진만 파운드리사업부장은 “파운드리사업은 수주사업으로, 지금 수주를 하면 빨라야 2년, 보통은 3년 정도 뒤에 매출 나온다”며 “각 공정에 대한 고객이 있고, 수주를 어떻게 최적화하느냐, 각 공정 기술의 커스텀업 어떻게 하는지 공정이 고객에 맞춰 진화해야 한다”고 했다. 이어 “이런 것들이 총체적으로 현재 저희의 모습을 보여주고 있다”며 “이런 문제에 대해 당장 1분기 내 해결될 문제는 아니지만 이런 관점에서 최선 다하겠다”고 덧붙였다.

전 부회장은 주총 사업전략 발표에서 “메모리는 특성과 품질에 대해 타협 없는 연구개발을 통해 신공정과 차세대 기술 경쟁력을 확보하겠다”며 “특히 VCT(Vertical Channel Transistor, 수직 채널 트랜지스터)와 본딩(Bonding) 기술과 같은 차세대 기술의 경쟁력 확보에 집중하는 등 미래 반도체 개발을 선제적으로 준비해 사업을 성장시킬 계획”이라고 했다.

삼성전자는 수익성 관점에서는 HBM Bit 공급량을 전년비 2배 수준으로 확대하고 커스텀(Custom) HBM 준비를 통해 고수익 반도체 시장에 적극 대응한다. 또 낸드의 경우 고성능 고용량 SSD 등 고부가 차별화 제품 강화를 통해 사업의 질을 제고하겠다고 했다.

김소연 (sykim@edaily.co.kr)