SK하이닉스 “6세대 D램 기술로 HBM 성능 높인다… 기술 주도권 공고히”

장태수 SK하이닉스 부사장이 지난 19일 열린 제52회 상공의날 기념식에서 10㎚급 1c 미세공정 기술이 적용된 16Gb(기가비트) DDR5 D램을 개발해 국내 반도체 산업 경쟁력을 높인 공로로 대통령 표창을 수상했다./SK하이닉스 제공

장태수 SK하이닉스 부사장은 20일 “이번 6세대(1c) DDR5 D램 개발로 SK하이닉스는 기술 리더십을 더욱 공고히 할 것”이라고 했다.

장 부사장은 SK하이닉스 뉴스룸 인터뷰에서 이라며 이같이 밝혔다. 장 부사장은 20년간 메모리 선행 기술 및 소자 연구에 매진한 전문가로, 44㎚(나노미터, 10억분의 1m) 부터 10㎚까지 10세대에 걸쳐 핵심 기술 개발에 참여했다.

장 부사장은 앞서 지난 19일 열린 제52회 상공의날 기념식에서 10㎚급 1c 미세공정 기술이 적용된 16Gb(기가비트) DDR5 D램을 개발해 국내 반도체 산업 경쟁력을 높인 공로로 대통령 표창을 수상했다.

‘1c D램 개발 태스크포스(TF)’에서 소자 총괄 리더로 참여한 이후 장 부사장은 세계 최초로 최단기간 내 1c DDR5 D램을 개발하는 성과를 냈다. 1c 공정 기술은 메모리 성능을 높이고 전력 소비를 줄이는 첨단 선행 기술로, 고성능컴퓨팅(HPC)과 인공지능(AI) 성장의 필수 기술로 여겨진다.

장 부사장은 이 기술을 세계 최초로 개발한 성과에 대해 “초고속·저전력 제품을 선제적으로 고객에게 공급하고, 프리미엄 시장에 빠르게 진입해 초기 수요를 선점하는 효과를 얻을 수 있다”고 했다.

장 부사장은 이번에 개발한 기술이 고대역폭 메모리(HBM) 성능을 높이는 데에도 기여할 것으로 기대했다. D램 셀 크기를 줄이면 HBM의 칩 크기와 높이를 유지하면서 용량을 늘릴 수 있고, HBM 내부에 다양한 설계를 시도해 여러 기능을 추가할 수 있기 때문이다.

장 부사장은 “미세화를 통해 작아진 칩과 감소한 전력은 HBM 열 관리에도 긍정적인 효과를 낸다”며 “이를 토대로 완성된 HBM은 AI 산업 발전을 가속할 것으로 예상한다”고 했다.

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