“122조 쏟아부었다”...메이드인 차이나 반도체 핵심장비까지 개발하는데, 한국 어쩌나 [위클리반도체]
중국 자력으로 28nm 반도체 생산 길 열어
미국 중국 일본 인도 달려나갈 때
반도체특별법 좌초, 한국만 뒤처지는 현실
대표적인 기업이 상하이 마이크로 일렉트로닉스 장비 그룹(SMEE)입니다. 27일 글로벌 반도체 업계에 따르면, SMEE는 이달 28nm(1나노미터는 10만분의1 에 해당) 리소그래피 장비 ‘SSA/800-10W’를 출시한다는 방침입니다. 노광을 뜻하는 리소그래피(lithography) 장비인데요. 실리콘 웨이퍼에 매우 미세한 회로 패턴을 새기는 핵심 장비입니다. 반도체 설계에서는 없어서는 안 될 기계입니다. 28nm는 현재 첨단 공정(7nm, 5nm, 3nm)보다는 구형 기술로 간주됩니다. 하지만 여전히 수많은 공정에서 사용 중인데요. 이는 중국이 공정 장비를 외국 기술에 의존하지 않고 독자적으로 생산할 능력을 확보했다는 것을 시사합니다. 한 반도체 업계 관계자는 “ASML의 심자외선(DUV)·극자외선(EUV) 기술보다는 뒤처져 있다”면서도 “하지만 중국 반도체 산업이 상당히 도약한 것을 시사한다”고 말했습니다
이는 YMTC(양쯔메모리테크놀로지)와 SMIC(중신국제반도체)와 같은 중국 주요 반도체 기업에 타격을 입히려는 조치의 일환입니다. 미국은 중국의 반도체 기술 발전을 억제해 AI, 군사 기술 등 첨단 분야에서의 우위를 유지하려고 하고 있으며, 이를 위해 한국 일본 네덜란드와 같은 동맹국들과 협력해 규제 네트워크를 형성한 상태입니다. 이는 한국에는 기회이자 위기입니다. 중국산이 추격하는 것이 어려워졌습니다. 이는 기회입니다. 반면 중국에 있는 한국 반도체 기업의 공장 내 장비 반입은 어려워졌습니다. 이는 위기입니다.
중국 정부는 막대한 실탄을 쏟아붓고 있습니다. 올해 5월 3440억 위안(약 65조 원)에 달하는 펀드를 조성한 것이 대표적입니다. 2014년 9월 26일에 조성한 1차 펀드 987억2000만 위안(약 19조 원), 2019년 10월 22일에 조성한 2차 펀드 2041억5000만 위안(약 38조 원)을 크게 뛰어넘은 수준입니다. 특히 3차 펀드는 반도체 생산 장비와 HBM 개발에 집중 투입될 전망입니다. 미국은 ‘반도체 및 과학법(CHIPS and Science Act)’으로 750억달러(약 102조원)를 투입한다고 밝혔고 중국은 지금까지만 122조원에 달하는 자금을 투입하거나 마련했습니다. 일본은 정부 주도로 연합 반도체 기업인 라피더스(Rapidus)를 설립했고, 인도마저 100억 달러(약 14조 원) 규모의 인센티브 프로그램을 발표했는데요. 한국은 어떤가요. 주52주 예외 적용은 둘째치고, 경쟁국 정부와 지원 격차는 갈수록 벌어지고 있습니다.
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