중국 "심자외선 노광장비 중요한 기술적 도약" 주장

제작사 이름은 비공개
"아직 시장 나오진 않아"

중국이 자국산 심자외선(DUV) 노광장비 2종에서 중요한 기술적 도약을 이뤘다고 주장했다.

15일 홍콩 사우스차이나모닝포스트(SCMP)는 중국 공업정보화부가 이번 주 발간한 '주요 기술 장비' 목록에서 이 같은 내용을 밝혔다고 보도했다.

공업정보화부는 "노광장비들이 중요한 기술적 도약을 이뤘고 자체 지식재산권을 보유했다"면서도 "아직 시장에 나오지는 않았다"고 했다. 해당 장비 2종의 제작사 정보도 공개하지 않았다.

공업정보화부에 따르면 중국이 개발한 두 장비 중 하나는 193㎚(나노미터·10억분의 1m) 파장에서 작동하며 해상도 65㎚ 미만, 오버레이 정확도 8㎚ 미만의 성능을 갖췄다. 또 다른 장비는 248㎚ 파장에서 작동하며 해상도 110㎚, 오버레이 정확도 25㎚를 제공한다.

반도체 웨이퍼 [이미지출처=EPA·연합뉴스]

이러한 성과에도 불구하고 중국 장비는 현재 글로벌 시장에서 판매되는 최첨단 제품과의 기술 격차가 크다. 예를 들어 네덜란드 반도체 장비업체 ASML이 제조하는 최첨단 DUV 노광장비는 해상도 38㎚ 미만, 오버레이 정확도 1.3㎚로 중국 제품보다 훨씬 앞서 있다. 더 짧은 파장을 사용하는 극자외선(EUV) 노광장비는 이미 13.5㎚ 파장에서 작동하며 이미 상용화됐다.

노광기술은 빛을 이용해 반도체 기판(실리콘 웨이퍼)에 복잡한 회로 패턴을 새기는 핵심 공정으로, 첨단 반도체 제조에 필수적이다. 중국은 반도체 자립을 목표로 수년간 노광장비 개발에 힘써왔지만, 최첨단 반도체 양산에 필요한 기술 개발은 더딘 상태다. EUV 노광장비를 독점하는 ASML은 2019년부터 대중국 수출에 제한받고 있다. 7㎚ 이하 반도체 생산에 필요한 최첨단 EUV 노광장비는 ASML만이 생산한다.

SCMP는 "다만 지난 10일 공개된 기업등록정보에 따르면 SMEE는 작년 3월 '극자외선(EUV) 방사선 발생기 및 리소그래피 장비' 특허를 출원해 현재 심사받고 있다"고 했다.

최서윤 기자 sychoi@asiae.co.kr