“미국에 공장 지어라”…삼성전자·SK하이닉스 겨냥한 美상무장관

트럼프 행정부의 ‘제조업 부흥’ 압박이 거세지고 있다. 하워드 러트닉 미국 상무장관이 삼성전자와 SK하이닉스를 콕 집어 “미국 내에 메모리 반도체 생산시설을 지으라”며 공개적으로 압박하면서다. 두 회사가 호남권에만 800조원대 투자 계획을 발표한 뒤 날아든 요구여서 미국이 자국 중심의 공급망 재편을 노골적으로 강요하고 있다는 해석이 나온다.
블룸버그에 따르면 9일 (현지시간) 러트닉 장관이 미국 메모리 반도체 기업 마이크론의 뉴욕주 팹 건설 현장에서 “삼성전자와 SK하이닉스를 미국으로 불러와 메모리 생산시설을 짓게 하고 싶다”고 말했다. 이어 “현재 한국 기업들과 관련 논의를 진행 중”이라고 덧붙였지만, 구체적인 협의 내용에 대해서는 말을 아꼈다.
이날 마이크론은 오는 2035년까지 미국 내 투자 규모를 기존 2000억 달러(약 300조원)에서 2500억 달러(약 375조원)로 대폭 확대하겠다고 발표하기도 했다. 자사 D램의 40%를 미국에서 만들고, 관련 일자리도 9만개 이상 만들겠다는 목표다. 투자 대상에는 뉴욕주 공장과 아이다호·버지니아주 생산시설 확장이 포함된다.
트럼프 행정부는 현재 12% 수준에 불과한 미국의 글로벌 반도체 생산 비중을 최대 40%까지 끌어올리는 것을 목표로 하고 있다. 미국 정부가 자국 기업인 마이크론의 증설을 발판 삼아, 글로벌 메모리 시장을 쥐고 있는 한국 기업들에게도 본격적인 ‘미국행’을 요구하고 나선 것이다. 러트닉 장관은 “마이크론이 앞장서면 경쟁사들은 질투를 느끼고 결국 따라올 수밖에 없을 것”이라고 했다.

삼성전자와 SK하이닉스가 이미 미국에 대규모 반도체 생산시설을 구축하고 있다는 점도 주목된다. 삼성전자는 텍사스주 테일러에 약 370억달러(약 55조원)를 투자해 첨단 파운드리(반도체 위탁생산) 단지를 조성 중이며, 내년부터 2나노(1나노는 10억분의 1m) 공정 양산을 시작할 계획이다. SK하이닉스도 인디애나주에 38억7000만달러(약 5조원)를 투입해 첨단 후공정(패키징) 공장을 건설하고 있다.
그러나 업계에서는 미국 정부의 진짜 목표가 D램 등 메모리 전공정(웨이퍼 제조) 생산시설을 자국으로 끌어들이는 데 있다고 본다. 한국 기업이 미국에 전공정 공장을 짓기에는 높은 건설비와 인건비, 핵심 기술·공정 노하우의 해외 유출 우려 등 부담이 적지 않다. HBM 같은 첨단 메모리는 국가핵심기술 규제도 받아 해외 생산 확대에 제약이 따른다. 미국 현지 생산을 요구하는 글로벌 빅테크(대형 기술기업)가 늘고 있지만, 경제성을 확보하기 어렵다는 게 업계의 설명이다.
지난달 29일 삼성전자와 SK하이닉스가 호남에 만800조원 투자 계획을 발표하자 미국이 견제구를 날린 것 아니냐는 해석도 나온다. 김대종 세종대 경영학부 교수는 “보호무역주의와 자국 제조업 육성을 최우선으로 삼는 트럼프 행정부 입장에서는 한국 반도체 기업들의 대규모 국내 투자 확대가 달갑지만은 않을 것”이라며 “앞으로 미국 내 추가 투자 요구는 물론 관세와 보조금 등을 지렛대로 한 압박도 거세질 가능성도 있다”고 내다봤다.
김수민 기자 kim.sumin2@joongang.co.kr
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