바짝 추격하는 中 반도체…HBM 이어 범용 메모리까지

HBM 쏠림에 中 범용 메모리 침투…증설·상장 등 외형확장
삼성·SK하닉 등과 격차 좁히기 집중…'메모리 4강' 주목

중국 창신메모리테크놀로지(CXMT) LPDDR5X 제품.ⓒCXMT

중국 메모리 산업이 고대역폭메모리(HBM)에 이어 저전력 D램(LPDDR)과 범용 메모리 전반으로 전선을 넓히며 글로벌 시장 구도에 균열을 내고 있다. 삼성전자·SK하이닉스·마이크론 등 '빅3'가 첨단 경쟁에 주목하는 사이, 레거시 등 분야에서 입지를 키워가고 있다.

17일 업계에 따르면 창신메모리테크놀로지(CXMT)와 양쯔메모리테크놀로지(YMTC) 등 중국 메모리 업계를 대표하는 기업들이 전례 없는 '메모리 쇼티지(공급부족)' 사태를 기회로 삼고 일제히 글로벌 메모리 선두에 대한 추격 속도를 올리고 있다.

CXMT는 지난해 말 10.7Gbps 데이터 전송 속도의 LPDDR5X를 고객사에 샘플을 제공하고 테스트 과정을 진행 중이다. LPDDR5X는 모바일용 D램이지만, 서버용 소캠(SOCAMM)2와 AI 노트북용 LP캠(LPCAMM)2 등 차세대 AI 메모리 모듈의 기반이 되는 핵심 제품이다. 현재 시장 주료 제품의 속도는 9.6Gbps 수준이며, 이는 중국 기업이 이미 주류 시장에 자리잡은 상황을 보여주는 대목으로 읽힌다.

삼성전자와 SK하이닉스는 10.7Gbps 제품을 먼저 양산 중이다. 국내 기업들은 이미 차세대 규격인 LPDDR6 개발에도 속도를 내고 있다. 삼성전자의 경우 양산 시점을 구체화하진 않았지만, 개발 작업은 사실상 완료한 것으로 알려졌다. 실제로 삼성전자는 CES 2026에서 LPDDR6를 공개했다.

중국 업체들은 HBM 경쟁에서도 존재감을 키우고 있다. CXMT는 올해 D램 웨이퍼의 약 20%를 HBM3 생산에 투입할 것으로 전해졌다. 허페이·베이징에 이어 상하이 공장 증설도 진행 중이며, 완공 시 생산능력은 기존 주력 공장의 2~3배에 달할 전망이다. YMTC 역시 3공장 건설을 추진하며 D램 진출을 모색하고 있다.

업계에 따르면 CXMT의 D램 생산능력은 2023년 말 월 10만장 수준에서 현재 25만~27만장으로 확대된 것으로 추정된다. 글로벌 점유율은 아직 한 자릿수지만, 자국 AI 수요를 기반으로 두 자릿수 진입 가능성도 거론된다. 시장은 CXMT가 알리바바클라우드 등 자국 빅테크를 고객으로 확보하며 외형 성장을 이뤄낼 것이라고 분석한다.

글로번 선두 기업들이 생산 역량을 고부가 제품에 집중하면서 범용 메모리 수급에 차질이 빚어지는 틈을 중국 업체들이 파고들고 있다는 분석도 나온다. 트렌드포스는 "LPDDR4X 공급 부족 현상이 CXMT의 시장 점유율 확대를 가속화하는 데 기여했다"고 진단했다. 올해 CXMT는 중국 내 AI 수요 등에 힘입어 5%의 글로벌 D램 시장 점유율을 기록할 것으로 추정된다.

자금 조달도 속도를 내고 있다. CXMT는 상하이증권거래소 상장을 통해 수조원대 자금을 확보, 생산라인 고도화와 선행 연구개발에 투입할 계획이다. 업계에서는 HBM 분야에서 선두권과의 기술 격차가 여전히 존재하지만, 대규모 투자와 내수 시장을 발판으로 추격 속도가 빨라질 수 있다고 본다.

업계 안팎에선 중국 기업들이 기술 경쟁력 확보에 더해 증설, 상장 등 외형 확대에도 속도를 내는 만큼, 메모리 지형 변화가 현실화할 가능성이 높다는 분석이 나온다.