삼성전자, 세계 최초 HBM4 양산 출하…"최고 성능"(종합)

황상준 부사장 "전례 깨고 최선단 공정 적용…고객 요구 충족"

"GPU·ASIC 고객사로부터 계속 공급 요청 받아"…주가 6.4%↑

삼성전자 HBM4[출처: 삼성전자]

(서울=연합인포맥스) 김학성 기자 = 삼성전자[005930]가 고대역폭 메모리(HBM) 시장에서 역전의 발판을 마련했다. 차세대 HBM 양산품을 경쟁사보다 먼저 출하했다고 발표하면서다.

삼성전자는 12일 세계 최초로 업계 최고 성능의 HBM4(6세대 HBM)를 양산 출하했다고 밝혔다.

삼성전자는 개발 착수 단계부터 국제 기준을 상회하는 목표 성능을 설정하고 개발을 진행했으며, 이번에 양산 초기부터 안정적인 수율과 업계 최고 성능을 확보했다고 설명했다.

삼성전자는 자사 HBM4가 JEDEC(국제반도체공학표준협의회) 표준인 8Gbps를 46% 웃도는 11.7Gbps의 동작 속도를 확보했고, 메모리 대역폭도 고객사 요구 수준인 3.0TB/s를 상회하는 3.3TB/s 수준까지 끌어올렸다고 밝혔다.

또 12단 적층 기술을 통해 24GB~36GB의 용량을 제공하고, 고객사 제품 일정에 맞춰 16단 기술을 적용해 48GB까지 용량을 확장할 계획이라고 덧붙였다.

아울러 전 세대 제품과 비교해 에너지 효율은 40%, 열 저항 특성은 10%, 방열 특성은 30% 개선했다고 했다.

황상준 삼성전자 메모리개발담당 부사장은 "삼성전자 HBM4는 기존에 검증된 공정을 적용하던 전례를 깨고 1c(10나노급 6세대) D램과 파운드리(반도체 수탁생산) 4나노와 같은 최선단 공정을 적용했다"며 "공정 경쟁력과 설계 개선을 통해 성능 확장을 위한 여력을 충분히 확보함으로써 고객의 성능 상향 요구를 적기에 충족할 수 있었다"고 말했다.

이번에 삼성전자는 세계에서 유일하게 로직과 메모리, 파운드리, 패키징을 아우를 수 있는 회사로서의 강점을 적극 활용했다고 강조했다.

HBM이 계속 고도화하며 베이스 다이(HBM 가장 아래에 위치해 전력·신호를 제어하는 기반 칩)의 역할이 더욱 중요해지는데, 자체 보유한 파운드리 공정과 HBM 설계가 긴밀히 협업할 수 있어 성능 개선에 유리하다고 회사는 설명했다.

삼성전자는 글로벌 주요 그래픽처리장치(GPU) 업체와 주문형 반도체(ASIC) 기반 하이퍼스케일러 고객사들로부터 HBM 공급 요청을 계속해서 받고 있다면서 올해 HBM 매출액이 작년 대비 3배 이상 증가할 것이라고 설명했다.

또 다음 세대 제품인 HBM4E의 샘플을 올해 하반기 출하하고, 고객사 맞춤 설계를 적용한 커스텀 HBM도 내년부터 순차적으로 샘플링하겠다고 밝혔다.

삼성전자 관계자는 "HBM4 양산 과정에서 확보한 1c 공정 기반의 품질과 공급 안정성은 HBM4E와 커스텀 HBM 등 고부가 제품으로의 전환 과정에서도 중요한 경쟁 요소가 될 것"이라고 말했다.

삼성전자는 2028년 가동될 평택사업장 2단지 5라인을 HBM 생산 핵심 거점으로 활용하겠다면서 안정적인 공급 역량을 확보하겠다고 밝혔다.

삼성전자 HBM4[출처: 삼성전자]

이번 HBM4 세계 최초 출하를 계기로 경쟁 구도가 변할지 시장 참여자들은 주목하고 있다.

지난해까지만 해도 회사 안팎에서 거론됐던 '삼성전자 위기론'의 진앙은 단연 HBM이었다. SK하이닉스[000660]가 HBM 시장을 선점하며 치고 나가면서 삼성전자의 경쟁력 저하에 대한 우려가 끊이지 않았다.

다만 지난해부터 전영현 DS부문장(부회장) 주도로 고강도 기술 혁신에 고삐를 죄며 이번에 돌파구를 마련한 것으로 평가됐다.

시장조사업체 카운터포인트리서치에 따르면 작년 3분기 전 세계 HBM 시장 점유율은 SK하이닉스가 57%로 1위, 삼성전자가 22%로 2위였다. 미국 마이크론테크놀로지(21%)는 3위였다.

이날 삼성전자 주가는 6.44% 급등한 17만8천600원에 정규장 거래를 마쳤다.

12일 삼성전자 주가 추이[출처: 연합인포맥스]

hskim@yna.co.kr

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