SK하이닉스, '제6회 혁신특허 포상'…금상은 'HBM' 주역

10건 포상 2억750만원 상금 지급
HBM 테스트 효율높인 윤태식TL 등 영예

SK하이닉스 사내 혁신특허 포상 시상식에서 고대역폭메모리(HBM) 주역이 최고상인 금상을 받았다.

SK하이닉스 제6회 혁신특허포상에서 금상을 받은 임직원들이 수상 기념 사진을 촬영하고 있다. 금상은 윤태식 인공지능 인프라 TL(맨 왼쪽), 김창현 D램개발 TL(맨 오른쪽)이 각각수상했다. 김동섭 대외협력 담당(사장)이 시상했다. SK하이닉스 제공

SK하이닉스는 8일 경기도 이천 본사에서 '제6회 혁신 특허 포상' 시상식을 했다고 밝혔다.

2018년 시작된 혁신 특허 포상은 기술 난제를 극복하고 경영성과 기여도가 높은 우수 특허를 선발해 포상하는 행사다. 올해 금상 2건, 은상 3건, 동상 5건 등 총 10건의 특허를 포상 대상으로 정하고 총 2억750만원의 상금을 지급했다.

SK하이닉스는 "혁신 특허 포상은 구성원들의 특허 인식을 제고하고 연구 의욕을 높여 우수 특허를 창출하고 경영 실적 증가로 이어지는 선순환 구조에 기여하고 있다"고 말했다.

금상은 HBM 테스트 효율성을 높이는 특허를 낸 윤태식 인공지능(AI) 인프라 TL, HBM과 D램 오류 정정 기능 효율성 제고 관련 특허를 개발한 김창현 D램 개발 TL이 금상을 받았다.

윤 TL은 "HBM 등 회사 핵심 제품 테스트 역량 제고에 기여한 점을 인정받아 기쁘다"고 말했다. 김 TL은 "메모리 동작 오류 정정 기술은 메모리 신뢰성을 높이는 데 매우 중요한 만큼 기술력을 고도화하기 위해 연구개발(R&D)을 지속해나갈 것"이라고 했다.

은상은 오상묵·윤태식 TL(AI 인프라), 강병인·박낙규·이한규 TL(P&T), 이기홍 담당·백지연 TL(미래기술연구원)에게 수여됐다.

동상은 현진훈·이창현 TL(D램 개발), 주노근 TL(D램 개발), 최은지·안근선 TL(낸드플래시 개발), 나형주 TL(솔루션 개발), 양동주·사승훈 TL(CIS 개발)이 받았다.

외부 일정으로 행사에 참석하지 못한 곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장은 서면을 통해 "우리는 회사와 반도체 산업 발전을 위해 기술개발과 발명을 지속함으로써 글로벌 1등 AI 메모리 기업 위상을 더욱 공고히 해나갈 것"이라고 강조했다.

김동섭 대외협력 사장은 "혁신 특허 포상 제도를 통해 누적 60건에 이르는 우수 특허가 선정돼 사내 인재들이 공로를 인정받았다"며 "제도를 지속 운영하며 구성원 기술혁신 동기부여를 강화할 것"이라고 했다.

송현종 코퍼레이트 센터 사장은 "축적된 인재풀과 지적 자산은 기술기업의 가치를 높여주는 핵심 지표”라며 "구성원의 기술개발을 지속 독려해 회사 기술 리더십을 높여 나갈 것"이라고 했다.

문채석 기자 chaeso@asiae.co.kr