SK하이닉스, ‘제6회 혁신특허포상’…"AI 메모리 기술 등 특허 개발 구성원 선발"

총 10건 특허 포상 대상 선정…총 2억750만원 상금 지급

ⓒSK하이닉스 뉴스룸

SK하이닉스는 8일 경기도 이천 본사에서 ‘제6회 혁신특허포상’ 시상식을 열었다고 밝혔다.

이날 행사에는 수상자들과 함께 김동섭 사장(대외협력 담당), 송현종 코퍼레이트 센터(Corporate Center) 사장, 김주선 사장(AI Infra 담당) 등 주요 경영진이 참석했다.

2018년 처음으로 시작된 혁신특허포상은 기술 난제를 극복하고 경영성과 기여도가 높은 우수 특허를 선발해 포상하는 행사다.

회사는 올해 총 10건(금상 2건, 은상 3건, 동상 5건)의 특허를 포상 대상으로 선정해 총 2억750만원의 상금을 지급했다.

혁신특허포상은 구성원들의 특허 인식 제고 및 연구 의욕을 높여 우수 특허를 창출하고 경영실적 증가로 이어지는 선순환 구조에 기여하고 있다고 회사측은 강조했다.

올해 최고상인 금상의 영예는 HBM(고대역폭메모리) 테스트의 효율성을 높이는 특허를 낸 윤태식 TL(AI Infra)과 HBM과 DRAM의 오류 정정 기능 효율성 제고 관련 특허를 개발한 김창현 TL(DRAM개발)에게 돌아갔다.

윤태식 TL은 “HBM 등 회사 핵심 제품의 테스트 역량 제고에 기여한 점을 인정받아 기쁘다”며 “앞으로도 혁신 기술을 발명해 회사 발전에 보탬이 되고 싶다”고 말했다.

김창현 TL은 “메모리 동작시 발생하는 오류를 정정하는 기술은 메모리 신뢰성을 높이는 데 매우 중요한 부분”이라며 “이 분야 기술력을 더 고도화하기 위해 연구개발을 지속해나갈 것”이라고 소감을 밝혔다.

은상은 오상묵/윤태식 TL(AI Infra), 강병인/박낙규/이한규 TL(P&T), 이기홍 담당/백지연 TL(미래기술연구원)에게 수여됐으며, 동상은 현진훈/이창현 TL(DRAM개발), 주노근 TL(DRAM개발), 최은지/안근선 TL(NAND개발), 나형주 TL(Solution개발), 양동주/사승훈 TL(CIS개발)에게 수여됐다.

곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장은 서면을 통해 “이전보다 한층 경쟁력이 강화된 특허로 SK하이닉스의 기술력을 높이는 구성원들 덕분에 든든하다”며 “우리는 회사와 반도체 산업 발전을 위해 기술개발과 발명을 지속함으로써 글로벌 1등 AI 메모리 기업 위상을 더욱 공고히 해나갈 것”이라고 밝혔다.