[컨콜]SK하이닉스 "6세대 HBM4 로직다이 적용…TSMC와 원팀"

SK하이닉스는 24일 3분기 실적 발표 콘퍼런스콜에서 "6세대 고대역폭메모리(HBM)인 HBM4에는 IO 개수 두 배 늘어나고 저전력 기능을 내기 위해 새 스킴을 적용할 것"이라며 "처음으로 (TSMC의) 로직 다이를 활용하는 등 기술적으로 많은 변화가 예상된다"고 밝혔다.

이어 "기존 테스트 범위를 넘어 훨씬 깊이 있는 기술 교류가 필요하다"며 "당사와 파운드리(반도체 위탁생산) 파트너사(TSMC) 간 원팀을 만들어 협업을 진행 중"이라고 했다. 그러면서 "어드밴스드 MR-MUF 공정을 적용하고 있고 25 하반기 고객 출하를 목표로 하고 있다"고 했다.

최서윤 기자 sychoi@asiae.co.kr