SK하이닉스, TSMC 포럼 전격 데뷔…엔비디아 H200·HBM3E 나란히

美캘리포니아주 'OIP 2024 포럼'
엔비디아·TSMC와 3자 협력 강조

25일(현지시간) 미국 캘리포니아주 산타클라라에서 열린 'TSMC 오픈 이노베이션 플랫폼(OIP) 포럼 2024' 부대행사인 OIP 파트너 테크니컬 토크에서 이병도 SK하이닉스 TL이 발표하고 있다. [사진제공=SK하이닉스]

SK하이닉스가 세계 최대 파운드리 업체인 대만 TSMC가 주최한 글로벌 반도체 행사에 처음으로 참여해 엔비디아와의 협업 성과를 선보였다.

SK하이닉스는 25일(현지시간) 미국 캘리포니아주 샌타클래라에서 열린 'TSMC 오픈 이노베이션 플랫폼(OIP) 포럼 2024'에 서 회사 HBM3E와 엔비디아 H200 칩셋 보드를 나란히 전시했다. 이 칩셋 제조사는 이 행사를 주최한 TSMC로, 고객사-파운드리-메모리 기업의 삼각 협력 관계를 과시한 것이다.

이 포럼은 TSMC가 반도체 생태계 내 주요 기업들과의 기술 개발과 협업을 위해 개최하는 행사다. 세계 각국 주요 반도체 기업들이 참가해 신제품과 기술을 선보이는 자리다.

SK하이닉스는 행사에서 'MEMORY, THE POWER OF AI'를 주제로 부스를 열고 ▲HBM3E ▲DDR5 RDIMM ▲DDR5 MCRDIMM 등 다양한 AI 메모리 솔루션을 소개했다. HBM3E는 36GB(기가바이트) 용량과 초당 1.2TB(테라바이트) 속도로, AI 연산 속도와 효율성을 대폭 향상할 수 있는 제품이다.

SK하이닉스 부스 내 HBM3E와 함께 전시된 H200 [사진제공=SK하이닉스]

이 외에도 SK하이닉스는 10나노급 6세대(1c) 공정 기반의 DDR5 RDIMM을 세계 최초로 공개하며 차세대 데이터센터용 메모리 솔루션 비전을 제시했다. 해당 제품은 전 세대 대비 속도가 11% 빨라졌으며 전력 효율도 9% 이상 개선돼 데이터센터의 전력 비용을 최대 30%까지 절감할 수 있을 것으로 기대된다.

SK하이닉스는 OIP 포럼 부대행사인 'OIP 파트너 테크니컬 토크'에도 참여했다. 이병도 SK하이닉스 HBM 패키지 TE 소속 기술리더(TL)가 'HBM 품질 및 신뢰성 향상을 위한 2.5D 패키징 공동 연구' 결과를 발표하며 TSMC와의 기술 협력을 강조했다. 이 TL은 "TSMC 베이스 다이(Base Die)를 활용해 HBM4의 성능과 효율을 높일 것"이라며 "어드밴스드 MR-MUF와 하이브리드 본딩 기반 HBM4 16단 제품을 개발해 시장의 고집적(High Density) 요구를 충족할 것"이라고 했다.

SK하이닉스는 이번 행사를 "AI 시장에서의 기술 우위 및 파운드리와의 견고한 파트너십을 다시 한번 확인한 자리"라고 평가했다. SK하이닉스 측은 "앞으로도 OIP 구성원과 꾸준히 협업하고 TSMC와의 협력을 지속해 전략적 관계를 강화해 나갈 방침"이라고 했다.

최서윤 기자 sychoi@asiae.co.kr