[컨콜]삼성전자 "3나노 1세대 공정수율 성숙단계 도달"
문채석 2024. 7. 31. 10:46
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삼성전자는 31일 2분기 실적 발표 컨퍼런스 콜에서 "3나노 게이트올어라운드(GAA) 공정은 올해 3년차에 접어든 1세대 수율이 성숙 단계에 도달했다"며 "3나노 2세대 GAA는 웨어러블 제품을 시작으로 하반기 본격 양산 예정"이라고 밝혔다.
이어 "2나노 GAA는 3나노 공정 경험을 바탕으로 2025년 첫 양산 예정"이라며 "2나노 GAA 2세대 공정은 2026년에 양산할 예정"이라고 덧붙였다.
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삼성전자는 31일 2분기 실적 발표 컨퍼런스 콜에서 "3나노 게이트올어라운드(GAA) 공정은 올해 3년차에 접어든 1세대 수율이 성숙 단계에 도달했다"며 "3나노 2세대 GAA는 웨어러블 제품을 시작으로 하반기 본격 양산 예정"이라고 밝혔다.
이어 "2나노 GAA는 3나노 공정 경험을 바탕으로 2025년 첫 양산 예정"이라며 "2나노 GAA 2세대 공정은 2026년에 양산할 예정"이라고 덧붙였다.
문채석 기자 chaeso@asiae.co.kr
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