[혁신 경영] 1분기 R&D에 역대 최대 7조8200억원 투자

삼성전자

삼성전자는 지난해 4분기 R&aD에 역대 분기 최대인 7조5500 억 원을 투자한 데 이어 올 1분기에도 7조8200 억원을 기록하며 매 분기 최대 기록을 경신하고 있다. 사진은 세계 최대 규모 반도체 공장인 삼성전자 평택캠퍼스 전경. [사진 삼성전자]

삼성전자는 2023년 실적 악화에도 불구하고 연간 기준 사상 최대 연구개발(R&D) 투자 및 시설 투자를 집행하며 미래성장 준비에 주력했다. 삼성전자의 지난해 R&D 투자액은 28조3400억원으로, 영업이익 6조5700억원의 4배가 넘는 규모다. 삼성전자는 지난해 4분기 R&D에 역대 분기 최대인 7조5500억원을 투자한 데 이어 올 1분기에도 7조8200억원을 기록하며 매 분기 최대 기록을 경신하고 있다.

삼성전자의 R&D 조직은 3단계로 운영된다. 향후 1~2년 내 시장에 선보일 상품화 기술은 각 부문 산하 사업부 개발팀에서, 3~5년 내 중장기 미래 유망 기술은 Samsung Research, 반도체연구소 등의 각 부문 연구소에서, 미래 성장엔진에 필요한 핵심 요소 기술은 당사의 종합연구소인 SAIT에서 선행 개발하고 있다. 또한 미국·우크라이나·일본·중국·인도·방글라데시·이스라엘 등지에서 제품 개발 및 기초 기술 연구 등을 진행하고 있다. 이를 통해 DDR5·HBM 등 고성능 메모리 시장 리더십 수성은 물론, 급속한 성장이 예상되는 AI·HPC·전장 등 차세대 반도체 시장에서도 주도권을 잡는다는 전략이다.

반도체 시장 개선 상황이 올해 하반기에도 지속될 전망인 가운데, 삼성전자는 사업 포트폴리오 최적화 차원에서 PC·모바일보다 HBM·DDR5·고용량SSD 등 서버 및 스토리지 관련 제품 생산에 주력하고 있다. HBM의 경우 급성장 중인 생성형 AI 수요에 대응하기 위해 공급 능력 확대와 함께 공급을 지속해서 늘릴 방침이다. 고용량 제품 니즈에 발맞춰 업계 최초로 개발한 HBM3E 12단 제품의 램프업(Ramp-up: 가동률 증가) 또한 가속할 계획이다. DRAM은 1b나노 32Gb DDR5 제품을 빠르게 도입하고, AI 서버와 연계된 고용량 DDR5 모듈 시장에서의 경쟁력을 강화할 예정이다.　

김재학 중앙일보M&P 기자 kim.jaihak@joongang.co.kr