“TSMC 매섭게 추격”…삼성전자, 하반기 2세대 3나노 양산

서울 서초구 삼성전자 서초사옥.(매경DB)

삼성전자가 올해 하반기 기대주인 ‘2세대 3나노’ 파운드리 공정 양산에 들어갈 예정이다. 이 과정에서 삼성전자가 대만 TSMC와 격차를 좁힐 수 있다는 관측도 나오고 있다.

18일 업계에 따르면 삼성전자는 다가오는 하반기에 2세대 3나노 공정 양산을 시작할 계획이다. 2세대 3나노 공정은 삼성전자가 2022년부터 양산하고 있는 3나노 성능 개선 공정이다.

삼성전자는 2017년 조직 개편을 통해 파운드리사업부를 분리하며 본격적인 사업에 뛰어들었다. 하지만 대만 TSMC의 높은 벽을 넘지 못하고 있다. 삼성전자는 3나노 공정에서 차세대 ‘GAA(게이트올어라운드)’ 트랜지스터 기술을 TSMC보다 앞서 적용하며 추격에 나섰으나 아직 효과가 미미한 상태다.

대만 시장조사기관 트렌드포스는 올해 1분기 삼성전자 파운드리 매출 기준 점유율을 11%로 분석했다. 삼성전자 파운드리가 현재 업계 2위 규모이지만, TSMC(61.7%)와 격차가 크다고 설명했다. 특히 올해 들어 격차가 50%포인트 이상으로 더 벌어졌다고 보았다.

업계는 삼성전자가 이번 2세대 3나노 공정에서 누적된 양산 경험을 얼마나 발휘할 지 주목하고 있다. 지난해 삼성전자 자료에 따르면 2세대 3나노 공정은 기존 4나노 핀펫(FinFET) 공정에 비해 속도는 22%, 전력 효율은 34% 개선된다. 칩 면적도 기존보다 21% 작아진다. 삼성전자는 해당 공정을 모바일 애플리케이션프로세서(AP) 등 모바일 제품 생산에 적용할 방침이다.

한편 삼성전자 반도체 DS부문은 오는 25일 전영현 부회장 주재로 120여 명이 참석한 현장에서 올 하반기 사업 계획을 점검하는 글로벌 전략회의를 연다.