'반도체 기술 중국에 유출'…삼성전자 수석연구원 구속영장

황윤주 2024. 1. 15. 22:06
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서울경찰청 안보수사대는 삼성전자가 독자 개발한 반도체 핵심 기술을 중국에 유출한 전직 수석연구원 A씨에 대해 구속영장을 신청했다고 15일 밝혔다.

경찰에 따르면 A씨는 2014년 삼성전자가 독자적으로 개발한 20나노 D램 반도체 기술 공정도 700여개를 무단 유출해 중국 기업 청두가오전이 제품 개발에 사용하게 한 혐의(산업기술보호법 위반)를 받는다.

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반도체 인력 대규모 유출 정황
16일 영장심사
서울경찰청 자료사진 /문호남 기자 munonam@

서울경찰청 안보수사대는 삼성전자가 독자 개발한 반도체 핵심 기술을 중국에 유출한 전직 수석연구원 A씨에 대해 구속영장을 신청했다고 15일 밝혔다.

경찰에 따르면 A씨는 2014년 삼성전자가 독자적으로 개발한 20나노 D램 반도체 기술 공정도 700여개를 무단 유출해 중국 기업 청두가오전이 제품 개발에 사용하게 한 혐의(산업기술보호법 위반)를 받는다. 경찰은 지난해 현직 청두가오전 임원인 A씨의 자택을 압수수색하는 과정에서 이 공정도를 발견해 수사해온 것으로 전해졌다.

또 경찰은 반도체 기술인력의 대규모 중국 유출 정황도 포착해 수사 중이다. A씨의 구속 전 피의자 심문(영장실질심사)은 16일 오전 10시 30분 서울중앙지법에서 열린다.

황윤주 기자 hyj@asiae.co.kr

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