반도체 기술 中에 유출한 삼성전자 전 연구원 구속영장

정혜정 2024. 1. 15. 21:46
번역beta Translated by kaka i
글자크기 설정 파란원을 좌우로 움직이시면 글자크기가 변경 됩니다.

이 글자크기로 변경됩니다.

(예시) 가장 빠른 뉴스가 있고 다양한 정보, 쌍방향 소통이 숨쉬는 다음뉴스를 만나보세요. 다음뉴스는 국내외 주요이슈와 실시간 속보, 문화생활 및 다양한 분야의 뉴스를 입체적으로 전달하고 있습니다.

셔터스톡

삼성전자가 독자 개발한 반도체 핵심 기술을 중국에 유출한 혐의를 받는 삼성전자 전 연구원에 대해 경찰이 구속영장을 신청했다.

15일 경찰에 따르면 서울경찰청 안보수사대는 산업기술보호법 위반 혐의로 삼성전자 전직 수석연구원 A씨에 대해 구속영장을 신청했다.

A씨는 지난 2014년 삼성전자가 독자적으로 개발한 20나노 D램 반도체 기술 공정도 700여개를 무단 유출해 중국의 반도체 업체 청두가오전에 넘긴 혐의를 받는다.

청두가오전은 삼성전자 임원, 하이닉스 부사장을 지낸 최모씨가 지난 2021년 중국 청두시로부터 약 4600억원을 투자받아 설립한 회사다.

A씨는 이 회사 핵심 임원으로 재직 중이다. 경찰은 지난해 A씨의 자택을 압수수색하는 과정에서 해당 공정도를 발견한 것으로 전해졌다.

경찰 관계자는 "최씨 업체에 고용된 사람, 헤드헌팅 업체 등 총 200여명에 대해 수사 중이며 이들 가운데 수십여 명이 입건된 상태"라며 "단계적으로 확인해나가고 있다"고 말했다.

A씨에 대한 구속 전 피의자 심문(영장실질심사)은 16일 오전 서울중앙지법에서 열린다.

정혜정 기자 jeong.hyejeong@joongang.co.kr

Copyright © 중앙일보. 무단전재 및 재배포 금지.

이 기사에 대해 어떻게 생각하시나요?