'삼성 반도체 핵심기술' 中에 넘긴 前직원 구속…"피해액 2조"
삼성전자와 그 협력사의 반도체 핵심 기술을 중국 경쟁사로 무단 유출한 전직 직원들이 15일 구속됐다.
서울중앙지법 이민수 영장전담 부장판사는 이날 삼성전자 전 부장 김모씨와 반도체 장비납품업체인 유진테크 전 팀장 방모씨에 대해 산업기술보호법 위반으로 구속영장을 발부했다.
서울중앙지검 정보·기술범죄수사부(부장 이춘)는 지난 12일 김씨를 삼성전자의 국가핵심기술인 18나노 D램 반도체 공정 정보와 유진테크의 첨단 기술인 증착 장비 설계 기술 자료를 2016년 설립된 중국의 신생 반도체 업체 창신메모리(CXMT)에 유출한 혐의로 구속영장을 청구했다. 김씨와 공모해 창신메모리에 증착 기술을 넘긴 방씨도 같은 날 구속영장이 청구됐다. 이번 검찰 수사는 지난 5월 국가정보원의 수사 의뢰로 시작됐다.
반도체 8대 공정 중 하나인 증착 기술은 반도체를 얼마나 소형화할 수 있는지를 결정짓는 핵심 기술이다. 반도체의 재료인 웨이퍼 표면에 1마이크로미터(μm), 즉 백만분의 1미터보다 얇은 두께의 막을 입혀 전기적 특성을 띠게 하는 기술인데, 통상 반도체 회사의 1급 기밀에 해당한다. 김씨는 삼성전자 근무 시절 증착 전문가였던 것으로 전해졌다.
검찰은 김씨가 2016년 창신메모리로 이직하면서 자신의 전문 분야였던 증착 관련 자료뿐 아니라 나머지 7대 공정에 대한 기술 자료도 넘긴 것으로 본다. 최근 창신메모리를 퇴사한 김씨가 새로 설립한 장비업체에서 600단계로 이뤄진 8대 반도체 공정에 대한 PPT 문건 등이 발견됐기 때문이다.
검찰은 또 김씨가 경력 10년 이상의 삼성전자 및 관련사 기술직 20여 명에게 최소 세후 5억원 이상의 계약금을 제시하는 등 이직을 통한 인력 유출도 시도한 것으로 보고 있다. 검찰 수사 과정에선 “중국 신생업체와 기술 격차가 줄어든 것을 고려하면 추산 피해액이 2조3000억원 정도일 수 있다”는 일부 주장도 나왔다.
김씨와 방씨의 신병을 확보한 검찰은 기술 유출 범행에 가담한 이들에 대해 추가 수사를 이어갈 방침이다.
김정민 기자 kim.jungmin4@joongang.co.kr
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