삼성전자, 3Q 시설투자 11조4천억…올해 53조7천억으로 연간 사상 최대

평택 3기 마감, R&D 및 HBM 투자 등

서울 서초동 삼성서초사옥 앞에서 삼성 깃발이 휘날리고 있다. ⓒ데일리안 홍금표 기자

삼성전자가 3분기에 11조4000억원 규모의 시설 투자를 단행했다. 사업별로는 반도체가 10조2000억원, 디스플레이가 7000억원 수준이다.

3분기 누계로는 36조7000억원이 집행됐으며, 반도체가 33조4000억원, 디스플레이 1조6000억원이다.

올해 연간 시설투자는 약 53조7000억원 수준으로 예상되며 연간 최대 시설 투자를 집행할 예정이라고 삼성전자는 밝혔다. 사업별로는 반도체 47조5000억원, 디스플레이 3조1000억원이다.

삼성전자는 31일 3분기 시설 투자 규모에 대해 이 같이 밝혔다. 메모리의 경우 중장기 수요 대응을 위한 평택 3기 마감, 4기 골조 투자 및 기술 리더십 강화를 위한 R&D(연구개발)용 투자 비중 확대를 예상했다. 특히 업계 최고 생산 수준의 HBM(광대역메모리) 생산능력 확보를 위한 투자 등 신기술 투자를 적극 진행중이라고 설명했다.

파운드리(반도체 위탁생산)은 첨단 공정 수요 대응을 위한 평택 생산능력 확대 및 미래 대응을 위한 미국 테일러 공장 인프라 투자 등으로 전년 보다 증가할 것으로 전망했다.

디스플레이는 IT OLED(유기발광다이오드) 및 플렉시블 제품 대응을 위한 투자 위주로 집행될 예정이다.

삼성전자는 앞으로도 미래 경쟁력 확보를 위한 시설 투자 및 R&D 투자를 이어가겠다고 밝혔다.