삼성전자, 업계 최초 5나노 eMRAM 앞세워 전장 시장 뚫는다

문동성 2023. 10. 19. 20:05
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삼성전자가 19일(현지시간) 독일 뮌헨에서 '삼성 파운드리 포럼 2023'을 개최하고, 최첨단 공정 로드맵과 전장 등 응용처별 파운드리 전략을 공개했다.

삼성전자는 현재 양산중인 130나노 전장 BCD 공정을 2025년 90나노까지 확대할 계획이다.

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삼성전자가 개발 중인 전장용 차세대 메모리 반도체 eMRAM [삼성전자 제공]

삼성전자가 19일(현지시간) 독일 뮌헨에서 ‘삼성 파운드리 포럼 2023’을 개최하고, 최첨단 공정 로드맵과 전장 등 응용처별 파운드리 전략을 공개했다. 특히 세계 자동차 시장의 규정을 선도하는 유럽에서 업계 최초로 5나노 eMRAM 개발 계획을 밝히며 ‘전장 파운드리 기술’을 선도하겠다는 의지를 드러냈다. eMRAM은 전장용 차세대 메모리 반도체다. 읽기·쓰기 속도가 빠른 것은 물론 높은 온도에서도 안정적으로 동작한다.

삼성전자는 포럼에서 최첨단 2나노 공정부터 8인치 웨이퍼를 활용한 공정에 이르기까지 다양한 맞춤형 솔루션을 선보였다. 삼성전자는 최첨단 2나노 전장 솔루션 양산 준비를 2026년 완료할 계획이다. 현재 내년을 목표로 14나노 eMRAM을 개발 중이고 2026년 8나노, 2027년 5나노까지 eMRAM 포트폴리오를 확대할 계획이다. 8나노 eMRAM의 경우 14나노 eMRAM과 비교해 집적도는 30%, 속도는 33%가 증가할 것으로 기대된다. 앞서 삼성전자는 2019년 업계 최초로 28나노 FD-SOI 공정 기반 eMRAM을 탑재한 제품을 양산한 바 있다.

삼성전자는 8인치 BCD 공정 포트폴리오도 강화한다. BCD 공정은 Bipolar(아날로그 신호제어), CMOS(디지털 신호제어), DMOS(고전압 관리) 트랜지스터를 하나의 칩에 구현한 것으로, 주로 전력 반도체 생산에 활용된다. 삼성전자는 현재 양산중인 130나노 전장 BCD 공정을 2025년 90나노까지 확대할 계획이다. 90나노 전장 BCD 공정은 130나노 공정 대비 약 20% 칩 면적 감소가 예상된다. 삼성전자 파운드리사업부 최시영 사장은 “차량용 반도체 시장에 최적화된 공정을 적기에 개발해 자율주행 단계별 인공지능(AI) 반도체부터 전력반도체 등을 고객 요구에 맞춰 양산해 나갈 계획”이라며 “삼성전자만의 차별화된 파운드리 솔루션으로 전기차와 자율주행차 시대를 선도해 나갈 것”이라고 밝혔다.

한편 삼성전자는 20개 파트너사와 함께 구축한 최첨단 패키지 협의체 ‘MDI(Multi Die Integration) 얼라이언스’를 기반으로 전장과 고성능 컴퓨팅(HPC) 등의 응용처별로 차별화한 2.5D, 3D 패키지 솔루션을 개발할 계획이다.

문동성 기자 theMoon@kmib.co.kr

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