이정배 삼성전자 사장 “11나노급 D램·9세대 V낸드 집적도 극한 개발”

이정배 삼성전자 메모리사업부장 사장 [삼성전자 제공]

삼성전자가 11나노급 D램의 집적도를 업계 최대 수준으로 높일 계획이다. 9세대 V낸드플래시의 경우 현재 구현할 수 있는 최고 단수를 개발 중이다.

이정배 삼성전자 메모리사업부장(사장)은 17일 삼성전자 반도체뉴스룸에 기고문을 올리고 “D램과 낸드플래시의 집적도를 극한의 수준으로 높여나가고, 고객 맞춤형 제품을 포함한 차별화한 솔루션을 제안해 새로운 시장을 열어 갈 것”이라고 밝혔다. 이어 “현재 개발 중인 11나노급 D램은 업계 최대 수준의 집적도를 달성할 것이다. 9세대 V낸드는 더블 스택 구조로 구현할 수 있는 최고 단수를 개발하고 있다. 내년 초 양산을 위한 동작 칩을 성공적으로 확보했다”고 강조했다.

이 사장은 인공지능(AI) 시장 확대로 수요가 폭증하는 고대역폭 메모리(HBM)에 대해서도 “여러 해에 걸친 양산 경험으로 최고 성능의 HBM을 제공하고 향후 고객 맞춤형 HBM 제품까지 확장하는 등 최상의 솔루션을 공급할 것”이라고 설명했다.

삼성전자는 오는 20일(현지시간) 미국 실리콘밸리에서 ‘삼성 메모리 테크 데이 2023’을 열고 최신 메모리 반도체 기술과 제품, 미래 전략을 소개할 예정이다.

문동성 기자 theMoon@kmib.co.kr

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