삼성전자 이정배 사장 "11나노급 D램, 9세대 V낸드로 초격차"

이정배 사장, 뉴스룸 기고문 처음 게재
"3D D램, V낸드 새 구조 도입 개발 중"

"현재 개발 중인 11나노급 D램을 통해 업계 최대 수준의 집적도를 달성할 것이다. 9세대 V낸드는 더블 스택 구조로 구현할 수 있는 최고 단수를 개발 중이다. 내년 초 양산을 위한 동작 칩을 성공적으로 확보했다."

이정배 삼성전자 메모리사업부장(사장)은 17일 삼성 반도체 뉴스룸에 올린 기고문에서 이같은 계획을 밝혔다. 이번 기고문은 20일 미국 실리콘밸리서 열리는 '삼성 메모리 테크 데이 2023'에 앞서 삼성전자 메모리 반도체 사업 비전을 소개하기 위해 게재됐다. 이 사장이 기고문을 올린 것은 이번이 처음이다.

이정배 삼성전자 메모리사업부장(사장) / [사진출처=삼성 반도체 뉴스룸]

그는 메모리 주요 응용처로 데이터센터가 떠오르면서 기술 과제가 커졌다고 짚었다. 초거대 인공지능(AI)과 기기에서 AI를 구현하는 온디바이스 AI 역시 새 응용처로 부상하면서 고성능·고용량·저전력 메모리 요구가 커지고 있다. 또 메모리 본연의 기능인 데이터 저장뿐 아니라 연산 기능까지 요구되고 있다.

삼성전자는 이처럼 변화하는 사업 환경 가운데 원가 경쟁력을 높이면서 고객이 만족할 제품을 선보이기 위해 노력하고 있다. 기술 혁신을 지속하면서 선단 공정과 고부가 제품 생산 비중을 늘리는 전략을 추진 중이다. 연구·개발(R&D) 투자를 늘리고 고객, 파트너와의 협력 관계를 강화하는 시도를 더하고 있다.

기술력 앞세워 최고 수준 집적도 구현 예고

삼성전자는 앞으로 메모리 품목인 D램과 낸드플래시 집적도를 극한 수준으로 높이고 고객 맞춤형 제품을 포함한 차별화된 솔루션을 제안, 새로운 시장을 열어갈 계획이다. 향후 다가올 10나노 이하 D램과 1000단 V낸드 시대에는 새로운 구조와 소재 혁신이 매우 중요한 만큼 이를 위한 개발에 몰두한다.

이 사장은 "D램은 3차원(3D) 적층 구조와 신물질 R&D를 하고 있다"며 "V낸드는 업계에서 가장 작은 셀 크기를 구현하는 당사 강점을 지속해서 고도화해 나가면서 신구조 도입을 준비하는 등 차세대 혁신 기술을 착실히 개발 중"이라고 설명했다.

회사는 최근 업계 최고 용량인 32Gb 더블데이터레이트(DDR)5 D램 개발에 성공했다. 향후 고용량 D램 제품군을 지속해서 늘리며 1TB 용량 모듈까지 구현할 수 있는 솔루션으로 확장할 예정이다. CXL 메모리 모듈(CMM) 등 새로운 인터페이스로 메모리 대역폭과 용량을 원하는 대로 확장하는 미래도 꿈꾼다.

삼성전자 메모리 반도체 사업 전략 소개 이미지 / [이미지출처=삼성 반도체 뉴스룸]

AI 용 메모리로 주목받고 있는 고대역폭메모리(HBM)의 경우 최고 성능의 제품을 시장에 제공하면서 향후 고객 맞춤형 제품으로 사업 범위를 확장한다. 저전력 특화 제품인 저전력더블데이터레이트(LPDDR) D램은 하이케이메탈게이트(HKMG, 누설 전류를 최소화하는 차세대 기술) 공정을 적용해 고성능을 구현하면서 모듈 형태의 LPDDR5X CAMM 솔루션을 통해 데이터센터로 응용처를 확대할 계획이다.

데이터 처리량이 늘면서 발생하는 메모리 병목 현상을 해결하기 위해선 프로세싱인메모리(PIM)와 프로세싱니어메모리(PNM) 기술을 HBM, CMM 등 제품에 적용한다. 서버 스토리지 분야에선 응용처별로 용량을 변화시키고 페타바이트(PB)급 확장이 가능한 솔리드스테이트드라이브(SSD) 제품을 선보인다.

이 사장은 "그간 삼성전자가 만들어왔던 성과와 업적들은 실패를 두려워하지 않는 담대함과 반드시 이루고자 하는 간절함, 그리고 과감한 도전이 있었기에 가능했다"며 "삼성전자는 초일류 기술을 기반으로 도전과 혁신을 지속해 고객과 함께 성장하며 더 나은 미래를 열어갈 것"이라고 포부를 밝혔다.

김평화 기자 peace@asiae.co.kr