삼성전자 "내후년까지 HBM4 개발… 최고 AI 솔루션 공급"

황상준 삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실장 부사장ⓒ삼성전자

삼성전자가 차세대 고대역폭메모리(HBM)제품인 HBM4를 2025년 출시를 목표로 개발한다.

황상준 삼성전자 메모리사업부 D램 개발실장(부사장)은 10일 삼성전자 뉴스룸에 올린 기고문에서 "6세대 HBM 제품인 HBM4를 2025년 목표로 개발하고 있다"며 "5세대 제품인 HBM3E를 고객사에 샘플 공급할 예정"이라고 말했다.

HBM은 D램을 여러 개 쌓아 올려 데이터 처리 속도를 획기적으로 끌어올린 메모리 반도체다. 챗GPT와 같은 생성형 인공지능 서버에 적합한 AI용 메모리 반도체로 평가받고 있다.

황 부사장은 "세상의 새로운 지평을 열고 있는 챗GPT는 파라미터(매개 변수)가 1750억 개에 달하는 수많은 데이터를 기반으로 학습된 언어모델이기에, 원활한 서비스 제공을 위해서는 고성능 반도체가 필수적"이라며 "거대한 데이터 처리를 위해서는 메모리 반도체의 고성능, 고대역폭, 저지연 등 성능을 극대화해야하고, 삼성은 지난 40년간 업계를 선도하며 쌓아온 독보적인 기술 노하우를 보유하고 있다"고 자신했다.

삼성전자는 6세대 제품인 HBM4를 선보일 때 새로운 기술도 포함시킬 계획이다.

황 부사장은 "HBM4 제품에 적용하기 위한 고온 열특성에 최적화된 비전도성접착필름(NCF) 조립 기술과 하이브리드 본딩(HCB) 기술도 준비 중"이라고 말했다. 하이브리드 본딩은 칩과 칩 사이 공간을 완전히 없앤 뒤 바로 접합하는 기술로 현재 HBM 제조사들로부터 주목받는 신공정이다.

삼성전자는 반도체의 모든 제조 과정을 책임지는 ‘반도체 턴키(일괄 진행) 서비스’도 제공해 AI 시대 최고의 솔루션을 선보이겠다는 구상이다.

황 부사장은 “HBM과 함께 2.5차원·3차원 첨단 패키지를 비롯한 맞춤형 턴키 서비스를 제공하고 있다”며 “AI·HPC 시대에 적합한 최고의 서비스를 공급할 것”이라고 했다.

차세대 D램 제품 영역에서도 초격차 기술을 바탕으로 세상이 원하는 제품을 내놓겠다고 자신했다. 그는 "업계 최선단 기술을 적용한 DDR5 규격의 12나노급 D램은 전 세대 제품 대비 생산성이 약 20% 향상됐다"며 "향후 삼성전자는 고객 수요에 맞춰 데이터센터·AI·HPC 등에 해당 제품을 공급할 계획"이라고 밝혔다.

이어 “초격차 DNA를 바탕으로 기술적 한계를 극복해 세상에 없는 다양한 메모리 솔루션 제품을 개발해 나갈 것”이라며 “D램 시장의 큰 변곡점이 될 10나노 이하 공정을 기반으로 AI 시대에 세상이 원하는 초고성능, 초고용량, 초저전력 메모리 제품을 제공할 계획”이라고 덧붙였다.