'삼성 테크 데이' 10월 개최…차세대 메모리 전략 기대

삼성전자 美서 10월 메모리 행사 개최
'칩 워' 저자 크리스 밀러 교수도 참석

삼성전자가 10월 미국에서 최신 메모리 기술력을 뽐내는 자리를 마련한다. 인공지능(AI) 시대를 이끌 차세대 D램 및 낸드플래시 사업 전략을 소개할지 업계 관심이 쏠린다.

삼성전자는 10월 20일 미국 캘리포니아주 산호세에 있는 새너제리 맥에너리 컨벤션 센터에서 '삼성 메모리 테크 데이 2023'을 개최한다. 삼성 테크 데이는 삼성전자 차세대 반도체 소개하기 위해 2017년부터 열린 연례행사다.

삼성전자는 올해 시스템 반도체(시스템LSI사업부)와 메모리 반도체(메모리사업부)로 주제를 나눠 테크 데이를 진행한다. 메모리 행사에 앞서 시스템 행사인 '삼성 시스템LSI 테크 데이 2023'을 5일에 먼저 개최할 예정이다.

이정배 삼성전자 메모리사업부장(사장)이 지난해 삼성 테크 데이에서 발표하는 모습 / [사진제공=삼성전자]

메모리 행사에선 한진만 삼성전자 DS부문 미주총괄(DSA) 부사장 환영사와 함께 이정배 삼성전자 메모리사업부장(사장)과 배용철 메모리사업부 부사장 기조연설이 진행된다. 기술 혁신과 생태계 조성을 위한 사업 전략이 발표 주제다.

반도체 분야 유명 서적 '칩 워' 저자인 크리스 밀러 미 터프츠대 교수도 테크 데이를 찾는다. 밀러 교수는 '2023년, 미국에서의 반도체'를 주제로 짐 엘리엇 삼성 반도체 영업 및 마케팅 부사장과 대담을 나눌 예정이다.

반도체 업계에선 삼성전자가 이번 행사에서 최신 메모리 기술과 제품을 선보일지 주목하고 있다. 삼성전자는 지난해 같은 행사에서 5세대 10나노급(12나노급) D램과 8·9세대 V낸드를 내놓겠다며 제품 로드맵을 공개했다. 이후 작년 11월에 8세대 V낸드, 지난 5월엔 12나노급 DDR5 D램 양산 소식을 각각 전했다.

업계는 지난해 삼성전자가 9세대 V낸드를 2024년 양산하고 2030년엔 1000단 V낸드를 개발하겠다고 밝힌 상황에서 최신 업데이트가 있을지 기대하는 모습이다. 최근 AI 수요가 늘면서 떠오르고 있는 고대역폭메모리(HBM) 등 고부가 D램 논의 여부에도 관심이 쏠린다.

이 사장은 지난해 행사에서 "삼성전자가 약 40년간 만들어낸 메모리 총 저장 용량이 1조기가바이트(GB)를 넘어서고, 이중 절반이 최근 3년간 만들어졌을 만큼 급변하는 디지털 전환을 체감하고 있다"며 "향후 고대역폭, 고용량, 고효율 메모리를 통해 새로운 플랫폼과 상호진화(Co-evolution)하며 발전할 것"이라고 말한 바 있다.

김평화 기자 peace@asiae.co.kr