뜨거워진 낸드 ‘쌓기 경쟁’… SK하이닉스 ‘세계 최고층’ 321단 공개

SK하이닉스가 8일(현지시간) 미국 캘리포니아주 샌타클래라에서 열린 '플래시 메모리 서밋(Flash Memory Summit·FMS) 2023'에서 321단 1테라비트(Tb) TLC(Triple Level Cell) 4D 낸드플래시 개발 경과를 발표하고 개발 단계의 샘플을 전시했다고 9일 밝혔다. 사진은 SK하이닉스 321단 4D 낸드플래시. [SK하이닉스 제공]

SK하이닉스가 ‘세계 최고층’ 321단 낸드플래시 샘플을 공개했다. 업계 최초로 300단 이상의 낸드플래시를 개발 중이라고 공식화한 것이다. 이에 따라 낸드플래시의 ‘쌓기 경쟁’은 뜨거워지고 있다.

SK하이닉스는 8일(현지시간) 미국 캘리포니아주 샌타클래라에서 개막한 ‘플래시 메모리 서밋(Flash Memory Summit·FMS) 2023’에 참가해 321단 1테라비트(Tb) TLC(Triple Level Cell) 4D 낸드플래시 개발 경과를 발표하고 개발 단계의 샘플을 전시했다. 플래시 메모리 서밋은 매년 미국 캘리포니아 샌타클래라에서 열리는 세계 최대 규모의 업계 행사다.

300단 이상 낸드플래시의 구체적 개발 경과를 공개한 기업은 SK하이닉스가 처음이다. SK하이닉스는 321단 낸드의 완성도를 높여 2025년 상반기부터 양산할 계획이다. SK하이닉스는 이번에 공개한 321단 1Tb TLC 낸드플래시는 이전 세대인 238단 512기가비트와 비교해 생산성이 59% 높아졌다고 강조했다.

낸드플래시는 전원이 꺼져도 데이터를 저장하는 메모리 반도체의 일종이다. 최근에는 셀을 수직으로 쌓아 올리는 ‘적층 기술’이 낸드플래시 기술 경쟁력의 핵심으로 자리 잡았다. 쌓아 올리는 셀의 층수가 많을수록 더 많은 용량을 저장할 수 있다.

미국 마이크론이 지난해에 232단 낸드플래시 양산을 시작했고, 이어 삼성전자가 같은 해 236단 양산에 돌입하면서 반도체 업계의 쌓기 경쟁은 치열하다. 최정달 SK하이닉스 부사장은 컨퍼런스 기조연설에서 “4D 낸드플래시 321단 제품을 개발해 기술 리더십을 공고히 할 것”이라며 “인공지능 시대가 요구하는 고성능·고용량 낸드플래시를 시장에 주도적으로 선보이며 혁신을 이끌어가겠다”고 말했다.

문동성 기자 theMoon@kmib.co.kr

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