[R&D 경영] 주력 제품 생산, 선도 기술 통해 품질경쟁력 높여

SK하이닉스

SK하이닉스가 양산에 돌입한 세계 최고층 238단 4D낸드와 솔루션 제품. 238단 낸드의 데이터전송 속도는 초당 2.4Gb로 이전 세대보다 50% 빨라졌다. [사진 SK하이닉스]

SK하이닉스는 선도 기술의 신속한 개발과 주력 제품의 안정적 양산 전개, 뛰어난 품질경쟁력을 통해 R&D 경영을 실천한다. 2021년 12월 15일에는 D램 단일 칩으로는 최대 용량인 24Gb DDR5 제품 샘플을 출하했다고 밝혔다. 2021년 10월에는 HBM3 D램을 개발했고, 지난해 6월에 엔비디아에 HBM3 D램을 공급하며 양산을 시작했다고 밝혔다. 지난해 12월에는 신개념을 도입한 서버용 D램 제품 ‘DDR5 MCR DIMM’ 샘플 개발에 성공했다고 밝혔다.

올해 1월에는 10나노급 4세대(1a) DDR5서버용 D램을 인텔의 신형 CPU ‘사파이어래피즈’에 적용할 수 있다는 인증을 받았다고 밝혔다. 지난 4월에는 D램 단품 칩 12개를 수직 적층해 24GB를 구현한 HBM3 신제품을 개발하고, 고객사로부터 성능 검증을 받고 있다고 밝혔다.

SK하이닉스는 지난해 8월 현존 최고층인 238단 512Gb TLC 4D낸드 개발에 성공했다고 발표했다. 이어 지난달 238단 4D낸드플래시 양산을 시작해 해외 고객사와 제품 인증 과정을 진행했다고 밝혔다.

‘차세대 메모리 반도체’ 연구도 지속한다. 지난해 2월에는 연산도 할 수 있는 차세대 지능형 메모리반도체인 PIM을 개발했다고 밝혔다. 지난해 10월에는 CXL메모리에 연산기능을 통합한 CMS 개발에 성공했다.

김승수 중앙일보M&P 기자 kim.seungsoo@joongang.co.kr