삼성전자 반도체 3분기 감산 효과 기대

삼성전자 2분기 반도체 적자 폭 줄였다
메모리 업계 감산 효과 3분기 본격화 예상
"DS부문 핀셋 인사, 경쟁력 제고 기대"

삼성전자가 2분기에 반도체부문 손실폭을 줄인데 이어 3분기 메모리반도체 감산 효과를 볼 것이란 기대감이 커지고 있다. 메모리 가격 낙폭이 줄 것이라는 예측이 나오고 있는데다 삼성전자가 HBM3(HBM 4세대 제품) 등 고부가 메모리 양산을 본격화할 예정이어서 실적 개선에 대한 기대감이 크다.

7일 삼성전자는 연결 기준 2분기 잠정 실적을 발표했다. 매출액은 60조원으로 전년 동기보다 22.28% 줄었다. 영업이익은 전년 동기보다 95.74% 감소한 6000억원이다. 증권가 추정치(2818억원)를 상회했다.

적자까지 예상했던 삼성전자 2분기 실적이 선방할 수 있었던 것은 DS부문(반도체) 손실 폭을 줄였기 때문으로 분석된다. 반도체 업계는 삼성전자가 2분기 DS부문에서 전분기보다 메모리 적자 폭을 줄이며 3조~4조원대 영업손실을 기록했을 것으로 본다. 1분기엔 4조8500억원의 영업손실을 기록한 바 있다.

2분기로 접어들면서 메모리 가격 하락 폭이 줄어든 데다 삼성전자가 고대역폭메모리(HBM), 더블데이터레이트(DDR)5 D램 등 고부가 제품 출하량을 늘린 결과다. 삼성전자의 2분기 D램 비트그로스(비트 단위로 환산한 출하량 증가율)가 1분기 대비 약 20% 상승했을 가능성에 무게가 실리고 있다.

하반기부턴 메모리 업계 감산 효과가 본격화하면서 실적에도 긍정적인 영향을 미칠 전망이다. 앞서 삼성전자는 SK하이닉스, 미국 마이크론에 이어 4월 초 감산을 공식화했다. 메모리 업계 1위인 삼성전자까지 감산에 동참한 만큼 3분기부턴 메모리 반도체 재고가 감소하고 가격 낙폭도 상당히 줄어들 수 있다. 한동희 SK증권 연구원은 "삼성전자 재고자산 평가손실이 빠르게 축소될 수 있다"고 말했다.

이미 업계에선 메모리 가격 낙폭이 줄 것이라는 예측이 나온 상태다. 시장조사업체 트렌드포스는 최근 3분기 D램과 낸드플래시 평균판매가격(ASP)이 2분기보다 최대 5%, 8% 하락에 그칠 것이라는 보고서를 냈다. 2분기에 가격이 각각 18%, 15% 떨어질 수 있다고 예상한 당초 전망보다 낙폭이 크게 줄었다.

삼성전자가 하반기 HBM3(HBM 4세대 제품) 등 고부가 메모리를 본격적으로 양산하는 점도 실적에 보탬이 될 수 있다. 최근 경계현 삼성전자 DS부문장(사장)은 "HBM3가 고객사로부터 우수하다는 평가를 받고 있다"며 "HBM3, HBM3P가 내년에는 DS부문 이익 증가에 기여할 것"이라고 말했다. HBM3P는 5세대 제품으로 삼성전자가 연내 선보일 예정이다.

삼성전자가 이달 초 DS부문 비정기 인사와 조직 개편을 통해 초격차 기술 확보 의지를 드러낸 점도 긍정적인 평가 요인이다. 삼성전자는 메모리사업부 D램 개발실장에 D램 설계 전문가인 황상준 부사장을, 파운드리사업부 최고책임자(CTO)로는 정기태 부사장을 각각 신규 선임했다. 김동원 KB증권 연구원은 "D램 및 파운드리 부문 개발 총책임자 교체 핀셋 인사를 통해 경쟁력 제고가 기대된다"고 말했다.

김평화 기자 peace@asiae.co.kr