삼성전자 ‘파운드리 반격’… TSMC보다 먼저 1.4나노 고지 밟는다

삼성전자가 27일(현지시간) 미국 실리콘밸리에서 개최한 '삼성 파운드리 포럼 2023'에서 삼성전자 파운드리사업부 최시영 사장이 기조연설을 하고 있다. 삼성전자 제공

삼성전자가 최첨단 파운드리(위탁생산)의 ‘2나노(㎚·10억분의 1m) 공정’ 로드맵을 전격 공개했다. 오는 2025년 첫 양산을 시작하고 해마다 고성능컴퓨팅(HPC), 자율주행용 등으로 영토를 개척한다는 전략이다. 기술력으로 파운드리 업계 1위인 대만 TSMC를 앞질러 ‘파운드리 패권’을 쥐겠다는 자신감을 담았다.

삼성전자는 27일(현지시간) 미국 실리콘밸리에서 ‘삼성 파운드리 포럼 2023’을 열고 2나노 공정 양산 일정을 구체적으로 공개했다. 삼성전자는 2025년 모바일 제품부터 2나노 양산에 들어간다. 이어 2026년 고성능 컴퓨팅(HPC), 2027년 자율주행차용으로 확대할 계획이다. 1.4나노 공정은 계획대로 2027년 양산 시작을 목표로 제시했다.

그동안 삼성전자와 TSMC는 ‘2025년 2나노 양산 시작’이라는 막연한 시점만 밝혔었다. 삼성전자 계획대로라면 2나노는 TSMC와 같은 해, 1.4나노는 TSMC보다 먼저 양산에 돌입한다. TSMC는 아직 1.4나노 일정을 공식적으로 발표하지 않았다.

반도체 업계에서는 삼성전자가 TSMC보다 앞서 2나노 로드맵을 제시한 건 파운드리 1위를 차지할 수 있다는 ‘자신감’의 표현이라고 풀이한다. 인공지능(AI) 기술에 필요한 전용 반도체 칩은 고성능을 요구하기 때문에 차세대 트랜지스터 구조인 게이트 올 어라운드(GAA) 기술을 적용해야 한다. 삼성전자는 GAA를 이미 지난해 6월 3나노 공정에 세계 최초이자 유일하게 도입했다.

TSMC는 2나노 공정에서부터 GAA를 사용할 전망이다. 삼성전자가 TSMC보다 먼저 기술 노하우를 쌓았다는 점에서 GAA 기술을 본격적으로 적용하는 2나노에서는 ‘기술 우위’를 차지할 수 있다.

또한 삼성전자는 컨슈머·데이터센터·오토모티브 향 8인치 질화갈륨(GaN) 전력반도체 파운드리 서비스를 2025년에 시작할 계획이다. GaN은 차세대 전력반도체다. 실리콘 반도체의 한계를 극복해 시스템의 고속스위칭과 전력 절감을 극대화할 수 있다. AI 기술에 필수적이다. 최시영 삼성전자 파운드리사업부장(사장)은 “AI 반도체에 가장 최적화한 GAA 트랜지스터 기술을 계속 혁신해 AI 기술 패러다임 변화를 주도하겠다”고 강조했다.

전성필 기자 feel@kmib.co.kr

GoodNews paper ⓒ 국민일보(www.kmib.co.kr), 무단전재 및 수집, 재배포금지