삼성전자 비장의 무기 나왔다...세계 첫 12나노급 5세대 D램 양산 시작

삼성전자가 업계 최선단 12나노급 D램을 양산한다. (삼성전자 제공)

삼성전자가 업계 최선단 12나노(㎚·10억분의 1ｍ)급 공정으로 16Gb(기가비트) DDR5 D램 양산을 시작했다고 5월 18일 밝혔다.

D램은 회로 선폭의 미세화 수준에 따라 세대를 구분하는데, 12나노급 D램은 5세대 10나노급 공정을 뜻한다. 삼성전자는 D램 미세 공정 경쟁에서 업계 1위의 기술 경쟁력을 확고히 하며 다가올 상승 국면에 대비한다는 계획이다.

삼성전자에 따르면 12나노급 D램은 이전 4세대(14나노급) 제품 대비 생산성 20%, 소비 전력 23%가량 향상됐다. 소비 전력 향상으로 데이터센터 등을 운영하는 데 있어 전력 운영 효율을 높일 수 있다는 게 삼성전자측 설명이다.

삼성전자는 유전율(K)이 높은 신소재를 적용해 전하를 저장하는 커패시터(Capacitor)의 용량을 늘렸다고 설명했다. D램은 커패시터에 저장된 전하로 1과 0을 구분하기 때문에 커패시터 용량이 커지면 데이터 구분이 명확해지고 데이터가 확실하게 구분돼 오류가 발생하지 않는다. 동작 전류 감소 기술과 데이터를 확실하게 구분할 수 있는 노이즈 저감 기술 등도 적용했다.

DDR5 규격의 12나노급 D램은 최고 동작 속도 7.2Gbps(초당 기가비트)를 지원한다. 이는 1초에 30GB(기가바이트) 용량의 초고화질(UHD) 영화 2편을 처리할 수 있는 속도다. 고객 수요에 맞춰 데이터센터·AI·차세대 컴퓨팅 등 다양한 응용처에 공급할 계획이다.

앞서 삼성전자는 12나노급 D램에 대해 지난해 12월 AMD 플랫폼 기반 호환성 검증을 마치고 글로벌 IT 기업들과의 협력을 통해 차세대 D램 시장을 견인하고 있다.

이주영 삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실장(부사장)은 “대용량 처리가 요구되는 컴퓨팅 시장 수요에 맞춰 고성능, 고용량을 확보할 뿐만 아니라 높은 생산성으로 제품을 적기에 상용화해 D램 시장을 선도해 나갈 것”이라고 말했다.