SK하이닉스, 세계 최초 12단 HBM3 개발…AI 반도체 시장 노린다

SK하이닉스의 HBM3 24GB 제품. 사진 SK하이닉스

SK하이닉스가 세계 최초로 D램 단품 칩 12개를 수직으로 쌓아 HBM(고대역폭 메모리) 중 현존 최고 용량인 24GB(기가바이트)의 ‘HBM3’ 신제품을 개발했다고 20일 밝혔다. 기존 HBM3의 최대 용량은 D램 단품 칩 8개를 수직 적층한 16GB였다.

HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 높인 고부가·고성능 제품이다. 최근 생성형 인공지능(AI)이 고성능 컴퓨팅을 요구하면서 데이터를 신속히 처리하는 데 최적화한 HBM 수요가 늘고 있다. 회사 측은 “현재 다수의 글로벌 고객사에 HBM3 24GB 샘플을 제공해 성능을 검증하고 있다”고 밝혔다.

SK하이닉스는 이번 제품에 진일보한 ‘MR-MUF’와 ‘TSV’ 기술을 적용했다고 설명했다. MR-MUF는 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 액체 형태의 보호재를 공간 사이에 주입하고, 굳히는 공정이다. 필름형 소재를 바닥에 까는 방식보다 공정이 효율적인 데다 열 방출도 우수하다.

TSV는 D램 칩에 수천 개의 미세 구멍을 뚫어 상층과 하층 칩의 구멍을 수직 관통하는 전극으로 연결하는 최신 패키징 기술이다. 회사 측은 “이 기술을 활용해 기존 대비 40% 얇은 D램 단품 칩 12개를 수직으로 쌓아 16GB 제품과 같은 높이의 제품을 만들 수 있었다”고 말했다. TSV 기술을 적용한 HBM3는 풀HD(1080p) 영화 163편을 1초에 전송하는, 초당 819GB의 속도를 낸다.

홍상후 SK하이닉스 P&T담당(부사장)은 “최근 늘어나는 프리미엄 메모리 수요에 맞춰 하반기부터 시장에 신제품을 공급할 수 있을 것”이라며 “상반기 내 이번 신제품 양산 준비를 완료해 AI 시대 최첨단 D램 시장의 주도권을 확보하겠다”고 말했다.

고석현 기자 ko.sukhyun@joongang.co.kr