SK하이닉스, 238단 뛰어넘는 초고층 낸드 개발 박차
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SK하이닉스에서 차세대 공정 개발 사업을 진행하는 고은정 부사장이 올해 초고층 낸드플래시 개발을 목표로 내놨다.
SK하이닉스가 지난해 개발에 성공한 238단 4차원(4D) 낸드보다 기술 수준을 높인 제품을 선보이고자 힘쓸 계획이다.
고 부사장은 올해 차세대 초고층 낸드 개발 성공을 목표로 한다.
앞서 SK하이닉스는 지난해 8월 세계 최고층인 238단 4D 낸드 개발에 성공한 바 있다.
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[아시아경제 김평화 기자] SK하이닉스에서 차세대 공정 개발 사업을 진행하는 고은정 부사장이 올해 초고층 낸드플래시 개발을 목표로 내놨다. SK하이닉스가 지난해 개발에 성공한 238단 4차원(4D) 낸드보다 기술 수준을 높인 제품을 선보이고자 힘쓸 계획이다.
SK하이닉스는 19일 뉴스룸에서 고은정 SK하이닉스 미래기술연구원 차세대 공정 부사장 인터뷰를 공개했다. 고 부사장은 SK하이닉스 새해 신임 임원 인사 중 유일한 여성으로 이름을 올린 인물이다.
고 부사장은 2005년 입사 후 낸드플래시 개발과 양산 업무를 맡았다. 이후 D램 개발과 3차원(3D) 낸드 개발 등 무게감 있는 프로젝트를 두루 거쳤다. 연구·개발(R&D) 전략실에선 여러 분야를 넘나들며 주요 제품군 개발 전략 업무도 진행했다. 현재는 4D 낸드 차세대 공정 개발에 집중하고 있다.
고 부사장은 인터뷰에서 반도체 산업 전반을 고루 경험한 '제너럴리스트(Generalist)'인 점이 자신의 강점이라고 짚었다. 조직과 전공, 젠더 등 구성원의 다양성뿐 아니라 제품군의 다양성을 모아 시너지를 낼 수 있는 '융합형 리더'라는 설명도 더했다.
그는 "다양한 제품 개발에 참여했던 경험 덕분에 프로젝트별로 상호 참고할 만한 부분을 융합하는 확장된 사고를 할 수 있었다"며 "차세대 낸드 공정 개발이 쉽진 않겠지만 이러한 경험과 사고를 기반으로 시너지를 만들어가고자 한다”고 말했다.
고 부사장은 올해 차세대 초고층 낸드 개발 성공을 목표로 한다. 현 반도체 업황 부진을 극복하면서 향후 핵심 경쟁력이 될 고부가가치 제품을 선보이기 위해서다. 앞서 SK하이닉스는 지난해 8월 세계 최고층인 238단 4D 낸드 개발에 성공한 바 있다. 고 부사장은 해당 제품보다 기술 수준을 높인 신제품을 개발하고 있다.
고 부사장은 새해 반도체 한파를 극복하기 위한 조직 키워드로 '십시일반'을 꼽았다. 그는 “반도체 공정에선 한 사람이 모든 일을 할 수 없다"며 "각자의 자리에서 최선을 다해 업무를 하고 그 결과가 모여 하나의 제품을 완성한다"고 말했다. 이어 "현재의 위기를 기회로 만드는 방법도 마찬가지다"며 "혼자가 아닌 ‘우리’, 이것이 위기를 돌파하는 SK하이닉스의 DNA다"고 강조했다.
김평화 기자 peace@asiae.co.kr
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