“외계인 고문했냐고?” SK하이닉스, 최저 전력 모바일 D램 개발

SK하이닉스는 9일 세계 최초로 모바일용 D램에 ‘HKMG’ 공정을 도입한 LPDDR5X을 개발해 판매를 시작했다고 밝혔다. 사진 SK하이닉스

SK하이닉스가 모바일 D램 제품 중 처음으로 하이케이 메탈 게이트(HKMG) 공정을 적용한 ‘LPDDR5X’ D램 개발에 성공했다. HKMG 공정은 누설 전류를 막고 전기 용량을 개선한 차세대 공정으로, 동작 속도를 높이면서도 전력 소모를 낮춘 게 특징이다.

9일 SK하이닉스는 업계 최초로 LPDDR5X 제품 개발 단계에서 HKMG 공정을 도입했고, 최근 양산에 들어갔다고 밝혔다. 이번 제품의 동작 속도는 8.5Gbps로 이전 세대보다 33% 빠르다. 동시에 국제반도체표준협의기구(JEDEC)가 정한 ‘초저전압’ 범위(1.01~1.12V)에서 작동해 기존 제품보다 소비 전력이 25% 줄었다. 회사 관계자는 “현재 시장에 출시된 모바일 D램 중 전력 사용 효율성이 가장 높다”며 “고성능은 물론 모바일 D램 중 최저 전력 소모 특성을 구현했다는 데 의미가 있다”고 말했다.

SK하이닉스 측은 자사 뉴스룸을 통해 “반도체 기술은 외계인을 고문해서 만든다는 농담까지 있다”며 개발 과정의 어려움을 소개하기도 했다. “기획 당시 8.5Gbps의 스펙을 맞춘다는 것이 쉬운 일이 아니었고, 부서 간 의견이 엇갈렸다” “속도를 올리고 필요 전력을 줄이기 위한 방법을 찾기 위해 매일 고민과 회의가 이어졌다” 등 개발부서 연구원들의 목소리가 담겼다.

한편 업계에선 스마트폰 활용도가 높아지며 ‘초고속·고용량·저전력’의 고성능 모바일용 D램 수요가 상승할 것으로 보고 있다. D램은 서버·PC에 주로 사용되는 DDR과 스마트폰 등에 사용되는 모바일용 LPDDR로 나뉘며, 현재 DDR은 5세대 LPDDR은 5X로 7세대까지 개발됐다.

삼성전자는 지난해 업계 최초로 14나노 기반 저전력 D램 ‘LPDDR5X’을 개발한 바 있다. 지난달엔 이 제품으로 8.5Gbps를 구현하는 데 성공했다고 밝혔다.

고석현 기자 ko.sukhyun@joongang.co.kr