SK하이닉스, 美 HBM 거점 ‘인디애나 팹’ 착공…“2029년 첫 양산 목표”

SK하이닉스가 미국 내 고대역폭메모리(HBM) 생산거점이 될 인디애나주 첨단 패키징 공장 건설에 본격적으로 착수했다. 2029년 미국산 HBM 양산을 시작하며, 연간 수십만 장 규모의 생산능력을 갖출 계획이다.

SK하이닉스는 27일(현지시간) 미국 인디애나주 웨스트라피엣 퍼듀대에서 차세대 HBM 어드밴스드 패키징 공장(팹) 기공식을 열었다.

SK하이닉스가 미국에서 건설하는 첫 생산기지로, 오는 2028년 10월 클린룸(패키징이 이뤄지는 공간)을 완공해 이듬해 하반기부터 HBM 양산을 목표로 한다.

이날 행사에는 곽노정 SK하이닉스 사장, 유정준 SK그룹 미주총괄 부회장 등 경영진을 비롯해 강경화 주미대사, 미국 상무부와 인디애나주·웨스트라피엣시 관계자 등이 참석했다.

SK하이닉스는 이날 기공식에서 인디애나 팹에 38억7000만달러(약 5조3600억원)를 투자하겠다는 계획을 밝혔다. 곽 사장은 “인디애나 팹은 단순히 하나의 반도체 공장이 아니라 미국 최초의 HBM 어드밴스드 패키징 시설”이라며 “총 40억달러를 투자해 2029년 3분기부터 HBM4E를 대량 생산하고 2030년에는 핵심 HBM 시설로 만들 것”이라고 말했다.

곽 사장은 또 인디애나 팹의 HBM 생산 능력이 연간 수십만장이 될 것이라고 설명했다. 매년 이 공장에서 D램(RAM) 웨이퍼 수십만장을 토대로 후공정을 통해 HBM을 만들겠다는 의미다.

곽 사장은 “인디애나 프로젝트는 미 최초 HBM 생산 거점을 구축하는 것”이라며 “메이드 인 USA HBM을 처음 공급하는 핵심 거점이자, 미 반도체 공급망을 강화하고 경제 및 안보에 기여하는 주요 기반이 될 것”이라고 강조했다.

이어 곽 사장은 인디애나 팹에서 만들 제품이 7세대인 HBM4E가 될 것이라고 발표했다. 현재 SK하이닉스는 이 7세대 칩을 개발 중이다.

미국 정부도 SK하이닉스의 투자를 지원한다. 미 상무부는 반도체지원법(CHIPS Act)에 따라 최대 4억 5800만 달러의 직접 보조금과 5억 달러 규모의 정부 대출을 지원하는 최종계약을 체결했다고 발표한 바 있다.

인디애나주 역시 인디애나경제개발공사(IEDC)와의 협약에 따라 2055년까지 최대 7억1218만 달러의 보조금을 SK하이닉스에 지급한다. 현지에서는 이번 투자로 2055년까지 약 5억달러의 세수가 발생할 것으로 예상하고 있다.

정혜선 기자 firstwoo@kukinews.com