[M 투데이 이상원기자] SK하이닉스가 4일 서울 삼성동 코엑스에서 열린 'SK AI 서밋(Summit) 2024'에서 현존 HBM 최대 용량인 48GB(기가바이트)가 구현된 16단 HBM3E 개발을 공식화했다.

이는 기존 12단을 넘어선 HBM3E 최고층 제품으로, 내년 초 엔비디아를 비롯한 주요 고객사들에게 샘플을 제공할 예정이다.

SK하이닉스는 현재 48GB 16단 HBM3E를 개발 중이며, 내년 초부터 고객에게 샘플을 제공, 샘플 테스트가 끝나는대로 양산에 들어가 고객사 출고를 개시할 예정이라고 밝혔다.

16단 HBM3E를 생산하기 위해 SK하이닉스는 양산 경쟁력이 입증된 어드밴스드 MR-MUF 공정을 활용할 계획이며, 백업 공정으로 하이브리드 본딩 기술도 함께 개발하고 있다고 밝혔다.

HBM은 1세대(HBM)-2세대(HBM2)-3세대(HBM2E)-4세대(HBM3)-5세대(HBM3E) 순으로 개발되고 있으며, 기존 12단 HBM3E의 용량은 3GB D램 단품 칩 12개를 적층한 36GB였다.

곽노정 사장은 "6단 제품의 시뮬레이션한 결과 HBM3E 12단보다 학습 성능은 18%, 추론 성능은 32% 향상됐다면서 12단에서 양산성이 검증된 어드밴드스 MR-MUF 방식을 계속 적용하고, 백업으로 하이브리드 본딩도 개발 중이라고 말했다.

SK하이닉스는 엔비디아에 지난 3월 HBM 5세대인 HBM3E 8단을 업계 최초로 납품하기 시작한 데 이어 지난달 HBM3E 12단 제품을 세계 최초로 양산을 시작해 4분기 출하한다는 목표다.

내년 상반기 중 HBM3E 16단 제품을 공급하고, HBM4 12단 제품도 내년 하반기 중 출시할 예정이다.

이는 경쟁사 삼성을 크게 앞선 수준으로, 삼성전자는 지난 달 실적발표에서 현재 HBM3E 8단과 12단 모두 양산 판매 중이라며 주요 고객사 퀄(품질 테스트) 과정상 중요한 단계를 완료하는 유의미한 진전을 확보했고, 4분기 중 판매 확대가 가능할 것으로 전망한다고 밝혔다.

곽노정 사장은 "HBM4부터 베이스 다이(Base Die)에 로직 공정을 도입할 예정으로 글로벌 1위 파운드리 협력사(대만 TSMC)와의 '원팀 파트너십'을 기반으로 고객에게 최고의 경쟁력을 갖춘 제품을 제공하겠다"고 강조했다.

현재 SK하이닉스의 HBM 시장 점유율은 53% 이상으로, 삼성전자와 미국 마이크론을 크게 앞선 상태다.

곽 사장은 또, 저전력 고성능을 강점으로 향후 PC와 데이터센터에 활용될 것으로 전망되는 LPCAMM2 모듈을 개발하고 있으며 1cnm 기반 LPDDR5와 LPDDR6도 개발 중이며, 낸드에서는 PCIe 6세대 솔리드스테이트드라이브(SSD)와 고용량 쿼드러플레벨셀(QLC) 기반 eSSD, UFS 5.0을 준비중이라고 설명했다.

이어 HBM4부터 베이스 다이(Base Die)에 로직 공정을 도입할 예정이며, 글로벌 1위 파운드리 협력사와의 원팀 파트너십을 기반으로 고객에게 최고의 경쟁력을 갖춘 제품을 제공하겠다고 말했다.