‘4조 투입 국가핵심기술 中 유출’ 삼성·하이닉스 임원 출신 반도체 전문가 구속기소

삼성전자가 4조원을 들여 독자 개발한 D램 공정 기술을 중국에 유출한 혐의를 받고 있는 삼성전자·하이닉스반도체(현 SK하이닉스) 임원 출신 반도체 전문가 최진석(66)씨가 27일 구속 기소됐다. 최씨가 유출한 혐의가 있는 기술은 ‘30나노 이하 D램 제조공정’으로 정부가 국가핵심기술로 지정해 관리하고 있다.

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삼성전자 평택 반도체 공장.

서울중앙지검 정보기술범죄수사부(부장 안동건)는 이날 중국 반도체 제조업체 청두가오전(CHJS)의 대표인 최씨와 같은 회사 개발실장인 삼성전자 수석연구원 출신 오모씨(60)를 산업기술보호법 위반, 부정경쟁방지법 위반 등 혐의로 구속 기소했다. 청두가오전 법인도 같은 혐의로 재판에 넘겼다.

삼성전자 상무와 하이닉스반도체 부사장을 지낸 최씨는 2020년 9월 중국 지방 정부로부터 4000억원 상당을 투자받고 현지에 회사를 세운 뒤 국내 반도체 핵심 인력인 오씨 등을 영입해 삼성전자의 메모리 반도체 기술을 유출하고 부정 사용한 혐의를 받고 있다.

최씨 등이 유출한 기술은 삼성전자가 약 4조원을 투입해 개발한 국가핵심기술로, 글로벌 반도체 회사들도 통상 개발에만 4~5년이 소요되는 D램 반도체 공정기술이라고 한다. 그러나 청두가오전은 최씨 등의 범행으로 불과 1년 6개월 만에 제조공정을 개발해 중국에서 두 번째로 D램 시범 웨이퍼 생산에 성공한 것으로 조사됐다.

검찰에 따르면 최씨는 이 같은 범행의 대가로 860억원 상당의 중국 반도체 회사 지분을 받고, 보수 명목으로도 18억원의 범죄수익을 취득했다.

검찰 관계자는 “최씨는 삼성전자와 하이닉스에서 약 30년을 근무한 국내 반도체 제조 분야 최고 전문가임에도 이 같은 범행을 저질렀다”고 밝혔다. 그러면서 “중국 회사가 D램 최종 양산에 성공할 경우 한국이 입게 될 피해 규모는 최소 수십조원에 달할 것으로 예상돼 검찰은 경찰 수사 단계부터 긴밀히 협력해 피고인들을 구속했다”고 했다.

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