중국, 실리콘 음극재 특허 10건 중 7건…中 독주
특허 질적 경쟁력 확보해 기술주도
[이데일리 김소연 기자] 실리콘 음극시장에서 특허 10건 중 7건이 중국이 낸 것으로, 특허 수로 압도적인 우위를 보이는 것으로 나타났다. 다만 한국이 낸 유효 특허 출원 수를 보면 한국이 핵심 특허를 내고 있는 것으로 분석됐다.
14일 SNE리서치가 발간한 ‘SiO(실리콘 옥사이드)-SiC(실리콘 카바이드) 특허리포트’에 따르면 2024년 기준 중국은 SiO-SiC 관련 특허 출원에서 전체 68%에 달하는 2726건으로 집계됐다. 미국(9%), 일본(3%)이 뒤를 이었다. 한국은 전체의 20% 비중을 차지, 801건을 기록했다.
특허의 피인용 수와 특허 패밀리 수를 기준으로 평가되는 핵심 특허 수는 한국의 LG화학(051910), LG에너지솔루션(373220)과 미국 에너베이트(Enevate), 일본 신에쓰(Shin-Etsu) 등이 앞서있는 것으로 나타났다.

중국은 BTR, BYD 등을 중심으로 SiC 구조체 및 양산 공정 관련 특허를 다수 보유하고 있다. 일본 신에쓰는 소재 합성 및 표면 개질 분야에 강점을 보이며 틈새 전략을 펼치고 있다. 한국은 LG에너지솔루션, 삼성SDI(006400)를 중심으로 복합 구조 설계 및 계면 안정화 기술을 고도화하며(SiC-SiO 복합체), 특허의 질적 경쟁력을 바탕으로 점유율을 높여가고 있다.
Si계 음극재는 차세대 전지 산업에서 고용량화, 장수명화의 열쇠로 지목받는다. 특히 전고체 배터리·고출력 전기차 등 차세대 응용 분야에서 필수적인 소재로 자리 잡고 있다. 중국의 양적 우위 상황에서 한국은 특허의 질적 경쟁력을 기반으로 시장 내 기술 주도권을 확보하고 있다. SNE리서치는 구조 설계·계면 안정화·고에너지 복합체 개발 등의 집중 투자와 연구가 시장 판도 변화의 열쇠가 될 것으로 전망했다.
김소연 (sykim@edaily.co.kr)
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