얕봤던 중국 D램, 턱밑 추격…삼성전자가 추운 이유 알겠네

저렴한 중국산, 가격 하락 촉발…D램 1위 삼성전자 수익성 타격

CXMT, 글로벌 생산 비중 연내 12% 관측…‘3강 구도’ 깨질 수도
기술 격차 좁혀져 HBM 양산설…낸드 제조 YMTC 약진도 위협

최근 삼성전자를 비롯한 메모리 반도체 업계의 전망에 ‘빨간불’이 켜지는 배경에는 중국의 공격적인 생산량 확대가 있다는 분석이 나온다.

저렴한 중국산 D램이 시장에 풀리면서 가격 하락을 촉발했고 이는 업계의 전반적인 수익성 악화로 이어졌다. 아울러 중국 메모리 업계는 한국과의 기술 격차도 거센 속도로 좁히고 있다.

20일 업계에 따르면 중국 D램 제조사 창신메모리테크놀로지스(CXMT)는 D램 생산능력을 2022년 월 7만장 수준에서 지난해 월 12만장, 올해 월 20만장으로 가파르게 늘리고 있다. 내년 말까지 월 30만장 수준에 도달할 것으로 예측된다.

이에 2010년대부터 확립된 삼성전자·SK하이닉스·마이크론의 ‘D램 3강 체제’가 흔들리는 모습이다.

CXMT의 글로벌 생산능력 비중은 2022년 4%에서 올해 말이면 12%에 달할 것으로 관측된다. 내년에는 그 비율이 15%를 넘어설 것으로 보인다. 현재 삼성전자·SK하이닉스·마이크론의 D램 생산 비중이 각각 37%, 25%, 17% 수준인데 CXMT가 3위 마이크론의 턱밑까지 쫓아온 것이다.

CXMT는 2016년 설립된 신생 회사다. 반도체 자립을 노리는 중국 정부의 전폭적인 지원을 업고 단기간에 중국 최대 D램 업체로 성장했다. 이 과정에서 삼성전자와 SK하이닉스 출신 직원들을 대거 스카우트해간 것은 공공연한 비밀이다.

과거 중국 정보기술(IT) 제조사들은 대부분 한국에서 수입한 D램을 자신들의 제품에 탑재해왔다. CXMT는 이 같은 수요를 빠르게 흡수했다. 샤오미·트랜션 등 스마트폰 제조사들도 지난해부터 CXMT의 저전력 모바일 D램 ‘LPDDR5’를 장착하기 시작했다.

기술 발전 속도도 빠른 편이다. 지난해 1분기까지만 해도 CXMT D램은 19나노미터 공정에서 생산된 제품이 91.9%를 차지했다. 그러나 올해 2분기에는 17나노 비중이 48.1%까지 확대됐으며 내년에는 16나노 비중이 35.7%까지 늘어날 것으로 전망된다.

이 회사는 D램을 쌓아 만드는 인공지능(AI)용 고대역폭메모리(HBM) 양산에도 들어간 것으로 알려졌다.

CXMT의 주력 제품은 2013년 상용화된 구형 D램 ‘DDR4’다. 현재 삼성전자·SK하이닉스가 주력하는 고성능 ‘DDR5’보다 5~6년 정도 뒤처져 있다. 그러나 DDR4가 여전히 PC·스마트폰·가전 등 소비자용 IT 제품에 널리 쓰이는 데다, CXMT의 물량 공세로 범용 D램 가격은 하향세를 그리고 있다.

삼성전자가 지난 8일 3분기 실적을 발표하면서 “중국 메모리 업체의 레거시(구형) 제품 공급 영향으로 실적이 하락했다”는 별도 설명자료를 낸 배경이다.

메모리의 또 다른 축인 낸드플래시에서도 중국의 약진이 두드러진다. 중국 낸드 제조사 양쯔메모리테크놀로지스(YMTC)는 2022년 세계 최초로 232단 낸드 양산에 들어간 바 있다. 낸드는 D램보다 한·중 기업의 기술 격차가 더 좁혀져 있는 편이다.

다만 중국 메모리의 파급력을 고평가하기에는 이르다는 반론도 있다. 아직까지 자국 수요에 대응하는 게 대부분이라 글로벌 경쟁력을 갖추기까지는 시간이 걸린다는 것이다.

김록호 하나증권 연구원은 “최근 2년간 CXMT의 생산량 증가로 중국 내 저사양 스마트폰·PC용 D램 시장은 잠식됐을 가능성이 높다”며 “향후 (국내 메모리업계 입장에서는) 추가적인 리스크는 제한적일 것”이라고 분석했다.

김상범 기자 ksb1231@kyunghyang.com