삼성전자, 세계 최초 HBM4E 12단 샘플 출하… 차세대 HBM 시장 주도권 선점

고객사 일정 맞춰 양산 예정

삼성전자 HBM4E 12단 제품이 세계 최초로 글로벌 고객사에 출하되는 모습. 삼성전자 제공

삼성전자 HBM4E 12단 제품

삼성전자가 인공지능(AI) 산업 핵심 부품인 고대역폭 메모리(HBM)의 7세대 제품인 HBM4E의 샘플을 세계 최초로 출하했다. SK하이닉스도 조만간 출하할 예정으로 차세대 HBM 주도권을 놓고 치열한 경쟁이 예상된다.

삼성전자는 업계 최고 성능의 HBM4E 12단 샘플을 출하했다고 31일 밝혔다. 삼성전자의 HBM4E는 전작 HBM4에서 검증된 1c(10 나노급 6세대) D램과 4 나노 파운드리 공정을 동시에 적용했다. 설계 및 공정 최적화를 통해 업계 최고 수준의 성능을 구현했다는 게 회사 측 설명이다. 핀당 동작 속도는 14 Gbps(초당 기가비트)에서 최대 16 Gbps까지 지원한다. 이는 전작 HBM4 대비 20% 이상 향상된 수치다.

또 단일 스택 기준 초당 3.6TB(테라바이트)의 대역폭을 제공함으로써 대규모 언어 모델(LLM) 및 차세대 AI 시스템의 연산 속도를 극대화했다. HBM4E 12단은 48GB(기가바이트)의 고용량을 구현해 전작 대비 용량을 30% 이상 늘렸으며 향후 고객사의 다양한 서비스 환경에 맞춰 32GB(8단), 64GB(16단)까지 라인업을 확대할 방침이다.

이와 함께 저전력 설계 및 패키징 구조 최적화 기술을 집약해 전작 대비 에너지 효율은 16%, 열 저항 특성은 14% 이상 개선됐다. 업계에서는 HBM4 세대부터 고객 맞춤형 설계 대응과 안정적인 대량 공급 역량이 핵심 경쟁력으로 부상할 것으로 본다. 이에 메모리·파운드리(반도체 위탁생산)·패키징 역량을 모두 보유한 삼성전자 강점이 부각될 수밖에 없다는 평가다.

삼성전자는 이번 샘플 공급을 시작으로 고객사 일정에 맞춰 양산할 예정이다. 황상준 삼성전자 메모리사업부 개발 담당 부사장은 “HBM4 양산 성공에 이어 차세대 HBM4E 샘플 공급까지 차질 없이 완수하며 삼성전자의 독보적인 기술 리더십을 시장에 확실히 각인시켰다”며 “앞으로도 압도적인 기술 초격차와 선제적인 생산 인프라 투자를 바탕으로 글로벌 AI 메모리 시장의 성장을 강력하게 주도할 것”이라고 말했다.

SK하이닉스도 조만간 HBM4E를 출하할 것으로 예상되면서 삼성전자와의 HBM4E 시장 경쟁도 치열해질 전망이다. SK하이닉스는 올해 하반기 HBM4E 샘플 출하를 계획했지만 최근 제품 개발이 순조롭게 진행되면서 일정이 앞당겨진 것으로 알려졌다.