고대역폭메모리(HBM) 역량 강화에 집중하고 있는 삼성전자가 신제품을 공개하고, 미래 로드맵을 발표했다. 이정배 삼성전자 메모리사업부 사장은 "새로운 구조, 소재 도입을 통해 초거대 AI(인공지능) 시대에 발맞춘 제품 개발에 속도를 내겠다"고 다짐했다.
이 사장은 20일(현지시간) 미국 실리콘밸리에 위치한 맥에너리 컨벤션 센터(McEnery Convention Center)에서 개최된 ‘삼성 메모리 테크데이(Samsung Memory Tech Day) 2023’에서 차세대 메모리를 직접 소개했다.
이번 행사는 ‘메모리 역할의 재정의(Memory Reimagined)’라는 주제로 진행됐으며 이 사장과 짐 엘리엇(Jim Elliott) 미주총괄 부사장 등 주요 인사, 글로벌 IT 고객 등 총 600여명이 참석했다.
이 사장은 행사에서 클라우드, 엣지 디바이스(Edge Devices), 차량(Automotive) 등 응용처에 따른 기술 트렌드를 공유했다. 또 △초고성능 HBM3E D램 ‘샤인볼트(Shinebolt)’ △차세대 PC, 노트북용 D램인 'LPDDR5X CAMM2’ △스토리지 가상화를 통해 분할 사용이 가능한 'Detachable AutoSSD(탈부착 가능한 차량용 SSD)' 등의 메모리 솔루션을 선보였다.
'샤인볼트' 첫 공개…전장 메모리 1위 달성 의지도
첫 공개된 차세대 HBM3E D램 '샤인볼트(Shinebolt)'에는 삼성전자의 신기술 역량이 집중됐다. '샤인볼트'는 데이터 입출력 핀 1개당 최대 9.8Gbps의 성능을 제공한다. 이는 초당 최대 1.2TB(30GB 용량의 UHD 영화 40편을 1초 만에 처리할 수 있는 속도) 이상의 데이터를 처리할 수 있는 속도다.
이 사장의 설명에 의하면 삼성전자는 NCF(Non-conductive Film, 비전도성 접착 필름) 기술을 최적화해 고단 적층을 구현했으며, 열전도를 극대화하며 열 특성을 개선했다. 또 현재 HBM3 8단, 12단 제품을 양산 중이며, 차세대 제품인 HBM3E도 고객들에게 샘플을 전달하고 있다고 밝혔다. 향후 차세대 HBM D램과 최첨단 패키지 기술, 파운드리까지 결합된 맞춤형 턴키 서비스도 제공할 예정이다.
또 업계 최초로 개발한 LPDDR5X CAMM2(Compression Attached Memory Module) 솔루션을 공개했다. 차세대 PC·노트북 D램 시장을 비롯해 데이터센터로도 응용처를 넓혀갈 계획이다.
이 사장은 차량용 메모리를 공략해 2025년까지 전장 메모리 시장 1위를 달성하겠다고 밝혔다. 삼성전자는 하나의 SSD(데이터저장장치)를 분할해 여러 개의 SoC(시스템온칩)가 사용할 수 있는 'Detachable AutoSSD(탈부착 가능한 차량용 SSD)'를 선보였다. 이 제품은 최대 6,500MB/s의 연속 읽기 속도, 4TB 용량을 제공한다. 탈부착이 가능한 폼팩터로 구현돼 손쉽게 SSD를 교체할 수 있어 성능 업그레이드 등이 용이하다는 설명이다.
11나노급 D램 개발 중…3D 신구조 도입 준비
이 사장은 삼성전자가 지난 5월 12나노급 D램 양산을 시작하고, 차세대 11나노급 D램도 업계 최대 수준의 집적도를 목표로 개발 중이라고 밝혔다. 삼성전자는 10나노 이하 D램에서 3D 신구조 도입을 준비하고 있으며, 이를 통해 단일 칩에서 100Gb(기가비트) 이상으로 용량을 확장할 계획이다.
또 그는 9세대 V낸드에서 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수를 개발 중이며, 내년 초 양산을 위한 동작 칩을 성공적으로 확보했다고 설명했다. 셀의 평면적과 높이를 감소시켜 체적을 줄이고, 단수를 높이는 핵심 기술인 ‘채널 홀 에칭(적층된 셀층에 미세한 원통형 구멍을 뚫어 전자가 이동할 수 있는 채널 홀을 형성하는 건식 식각(드라이 에칭) 기술)’으로 1,000단 V낸드 시대를 준비해 나가겠다는 설명이다.
이 사장은 “초거대 AI 시대는 기술 혁신과 성장의 기회가 교차하는 지점으로 업계에 더 큰 도약의 시간이 될 것”이라며 “삼성전자는 혁신을 이끌고, 한계를 뛰어 넘는 확장된 솔루션을 제공해 메모리 시장을 선도할 것”이라고 말했다.
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