SK하이닉스, 차세대 HBM 핵심 기술 공개…주가 탄력 받을까

SK하이닉스 iHBM 설루션 개념도 (SK하이닉스 제공)

SK하이닉스가 차세대 고대역폭 메모리(HBM)의 발열 문제를 해결하기 위한 신기술 'iHBM'을 공개하며 AI 메모리 경쟁력 강화에 나섰다.

SK하이닉스는 26일 HBM 패키지 내부에 ICE(일체형 냉각 요소)를 적용한 'iHBM' 기술을 선보였다고 밝혔다. ICE는 전기는 통하지 않지만 열 전도율이 높은 실리콘 소재를 활용해 패키지 내부에 추가적인 열 배출 통로를 만드는 냉각 기술이다.

HBM은 메모리를 여러 층으로 쌓아 성능과 데이터 처리 속도를 높이는 구조로, AI 반도체 시장 확대와 함께 핵심 기술로 주목받고 있다. 다만 적층 수 증가와 고속화가 진행될수록 발열 부담도 함께 커지는 문제가 있었다.

특히 HBM과 GPU를 연결하는 D2D PHY 구간은 발열 밀도가 높은 핵심 영역으로, 차세대 HBM 기술 경쟁력에서 열 제어 기술이 중요한 요소로 꼽힌다.

SK하이닉스의 iHBM은 발열이 집중되는 D2D PHY 영역 내부에 ICE를 삽입해 열이 빠져나가는 전용 경로를 추가로 확보한 것이 특징이다. 기존 HBM이 코어 다이를 통해 외부로 열을 전달하는 간접 방식이었다면, iHBM은 구조적으로 발열을 보다 효율적으로 제어할 수 있도록 설계됐다.

이를 통해 기존 대비 열저항을 30% 이상 낮췄으며, 고온·고부하 환경에서도 안정적인 동작 성능을 유지할 수 있다고 회사 측은 설명했다.

양산 경쟁력도 확보했다. SK하이닉스는 이미 시장에서 검증된 어드밴스드 MR-MUF 기반 웨이퍼 레벨 패키징(WLP) 공정을 적용해 대량 생산 안정성을 높였다고 밝혔다. 또한 고객사의 기존 시스템 인 패키지(SiP) 환경과 높은 설계 호환성을 확보해 적용 부담도 줄였다.

회사는 향후 HBM5(8세대) 등 차세대 제품부터 iHBM 기술을 적용해 고성능 컴퓨팅(HPC)과 AI 데이터센터 시장 공략에 나설 계획이다.

이강욱 SK하이닉스 부사장(PKG개발 담당)은 "iHBM은 메모리 설계 역량과 첨단 패키징 기술을 결합해 개발한 발열 최소화 솔루션"이라며 "AI 시대 고객이 요구하는 가치를 선제적으로 제공해 AI 메모리 리더십을 더욱 강화해 나가겠다"고 말했다.