하이닉스, HBM4E 12단 샘플 공급…차세대 HBM 경쟁 본격화

엔비디아 외 복수 고객 공급 시사
삼성과 HBM4E 공급경쟁 본격화

SK하이닉스 HBM4E 12단 신제품

SK하이닉스가 차세대 AI용 초고성능 D램 신제품인 ‘HBM4E’ 12단 샘플을 주요 고객사들에 공급했다고 18일 밝혔다.

SK하이닉스는 “그동안 축적해온 HBM 선행 개발 역량과 생산 노하우를 바탕으로 HBM4E 12단 샘플을 고객들에게 선보일 수 있었다”며 “핵심 고객사들과 긴밀히 협업해 적기 양산에 만전을 기하겠다”고 밝혔다.

이번 신제품은 이전 세대인 HBM4 대비 성능과 전력 효율을 모두 한 단계 끌어올렸다. 핀당 최대 16Gbps의 데이터 처리 속도를 구현하고 에너지 효율을 20% 이상 개선했다. HBM4E는 최신 인터페이스와 설계 최적화로 데이터 전송 지연을 줄이고 고대역폭 환경에서도 안정적인 동작을 구현했다.

회사는 HBM4E에 어드밴스드(Advanced) MR-MUF 공정을 적용해 12단 적층 기준 48GB 용량을 구현했다. 열 저항을 HBM4 대비 약 17% 낮춰, 고성능 컴퓨팅 환경에서도 메모리가 안정적으로 동작하도록 했다.

SK하이닉스 안현 개발총괄 사장(CDO, Chief Development Officer)은 “그동안 쌓아온 업계 최고의 기술 경쟁력과 양산 역량을 HBM4E 제품에서도 이어가, AI 혁신을 지속적으로 리드해 갈 수 있는 기반을 마련했다”며 “파트너들과 협력을 바탕으로 시장이 요구하는 가치를 선제적으로 구현해, 풀 스택 AI 메모리 크리에이터로서의 기술 리더십을 공고히 하겠다”고 말했다.

SK하이닉스 HBM4E 성능 [SK하이닉스]

삼성전자는 앞서 5월29일 HBM4E 12단 샘플을 고객사에게 공급했다. 삼성전자의 HBM4E는 핀당 동작 속도는 14Gbps에서 최대 16Gbps까지 지원하며, 단일 스택 기준 초당 3.6TB(테라바이트)의 대역폭을 제공한다.

용량 측면은 HBM4E 12단 제품은 48GB(기가바이트)의 고용량이며, 향후 고객사의 요청에 맞춰 32GB(8단), 64GB(16단)까지 가능하다는 것이 삼성전자 측의 설명이다.

SK하이닉스가 HBM4E 12단 샘플 공급을 선언하면서 삼성전자와 격차는 불과 3주 정도로 줄어들었다. 거기에 SK하이닉스는 ‘고객사들’이라고 밝혀서 엔비디아 외에 구글, AWS 등 복수의 고객에게도 제공했음을 시사했다.

삼성전자와 SK하이닉스의 HBM4E 경쟁의 관건 중 하나는 로직다이다. 삼성전자는 전작 HBM4에서 도입한 자체 파운드리 4나노 공정으로 로직다이를 만들어 성능을 높였다. 반면 SK하이닉스는 기존 메모리 반도체 공정에 기반한 로직 다이를 사용했다.

하지만 HBM4E에서는 SK하이닉스도 TSMC의 첨단 로직 공정을 사용할 예정이다. 이를 통해 성능의 대폭 향상이 가능하다. 하지만 TSMC의 첨단 로직 공정이 다른 고객들의 수요로 용량 확보가 쉽지 않아서 SK하이닉스에게도 부담이 될 수 있다. SK하이닉스가 엔비디아에 가장 많은 HBM을 납품하는 최상위 공급사라는 점에서 충분한 TSMC 생산능력을 확보해야한다.