삼전닉스 공개한 HBM 신기술 호평...삼전 3분기 이익 800% 급증할 듯

삼전닉스 신기술 호평 "반도체 고점론 불식, 중국과 초격차"

삼성전자 반도체 HBM4 제품 사진

지난 23일(현지시간) 미국 스탠퍼드대에서 반도체 학회 '핫칩스 2026' 행사가 열렸습니다.

올해 핫칩스는 처음으로 메모리를 독립 세션으로 따로 다뤘습니다. 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 등 세계 3대 메모리 업체가 나란히 참석했습니다.

이 행사에서 삼성전자와 SK하이닉스는 나란히 차세대 고대역폭메모리(HBM) 기술에 대해 다른 전략을 공개했습니다. HBM은 여러 장의 메모리 칩을 쌓고 연결해 데이터를 한꺼번에 많이 보낼 수 있게 만든 반도체입니다.

이른바 'AI용 초고속 메모리'로 불립니다. 처리 속도는 높이면서 발열을 낮추는 것이 이 기술의 핵심입니다.

삼성전자는 새로운 발상을 제시했습니다. GPU 위에 HBM을 곧바로 쌓아 한 몸으로 붙이는 'zHBM'으로 나아간다는 3단계 로드맵을 선보였습니다.

그동안 GPU와 HBM이 옆에 놓여 데이터를 주고받았다면, 앞으로는 HBM을 GPU 위에 직접 쌓겠다는 겁니다. 이 구조가 기존 메모리보다 전력 효율을 70% 높이고, 데이터 전송량은 230% 늘릴 수 있다고 밝혔습니다. 데이터 이동 거리가 짧아지면서 속도는 높아지고, 전기는 덜 쓸 수 있다는 설명입니다.

한상욱 삼성전자 테크니컬리더는 “HBM 맨 아래층에서 데이터 통로 역할만 하던 '베이스다이'를 GPU 제작에 쓰는 첨단 로직 공정으로 만들어 '작은 두뇌'로 바꾸겠다"고 말했습니다.

GPU가 맡던 메모리 관리 기능을 HBM으로 넘겨 GPU는 계산에 더 집중시키고 HBM이 일부 AI 연산까지 직접 수행한다는 것입니다.

SK하이닉스는 또 다른 해법을 제시했습니다. 이재식 SK하이닉스 아메리카 부사장은 D램을 20층 이상 높이 쌓는 '하이브리드 본딩'과 열이 몰리는 부위만 골라 냉각하는 'i-HBM' 기술을 앞세웠습니다. '하이브리드 본딩'은 칩 사이를 접착제 같은 중간물질 없이 직접 붙여 더 촘촘하고 높이 쌓아 올리는 원리입니다.

두 회사는 서로 다른 기술을 제시했지만 결국 목표는 같았습니다. 전력 사용과 발열은 줄이면서 AI가 더 빠르게 계산하도록 돕는 겁니다.

최근 애플이 중국에서 판매할 아이폰에 값싼 중국산 메모리를 쓸 수 있단 전망이 나옵니다. 하지만 여전히 AI 고성능 메모리 시장에선 한국 기업들의 기술 우위가 압도적이라는 평가를 받고 있습니다.

KB증권은 삼성전자의 올해 3분기 영업이익을 전년 동기 대비 816.7% 증가한 111조 5000억 원으로 전망했습니다. 매출액은 133.9% 늘어난 201조 3000억 원으로 예상했습니다. 지난해 4분기부터 올해 3분기까지 4개 분기 연속 사상 최대 실적을 경신할 것이란 전망입니다.