삼성전자 핵심기술 中 빼돌려...반도체 산업 종사자 30여명 입건(종합)

조광현 안보수사지원과장이 10일 오후 서울 종로구 사직로 서울경찰청 회의실에서 국가핵심 반도체 기술 유출사건 관련 브리핑을 하고 있다. 뉴스1 제공

[파이낸셜뉴스] 삼성전자가 4조원이 넘는 자금을 투입해 독자개발한 반도체 관련 핵심 공정기술을 빼돌려 중국에서 반도체 제조업체를 세운 삼성전자 전직 임원이 구속 상태로 검찰에 넘겨졌다.

서울경찰청 산업기술안보수사대는 중국 반도체 제조업체 청두가오전 대표 최모씨(66)와 공정설계실장 오모씨(60)를 구속 송치했다고 10일 밝혔다.

경찰에 따르면 최씨는 지난 2020년 9월 중국 지방정부로부터 약 4600억원 상당의 투자를 받아 합작 회사를 세운 뒤 삼성전자에서 수석연구원을 지낸 오씨 등 국내 반도체 전문인력을 영입해 삼성전자의 메모리 반도체 핵심기술을 유출·부정사용한 혐의(산업기술보호법·부정경쟁방지법 위반)를 받는다.

삼성전자와 하이닉스반도체(현 SK하이닉스) 임원을 지낸 최씨는 20나노급 D램 반도체 제조를 목표로 삼성전자가 독자개발한 공정단계별 핵심기술을 빼돌려 지난 2022년 4월 실제 반도체로서 기능을 측정하는 기초 개발 제품 생산을 한 것으로 조사됐다.

유출된 국가핵심기술은 반도체 공정의 순서와 각 공정의 주요 조건을 정리한 반도체공정종합절차서(PRP), 수율·신뢰성·품질 등 반도체를 구성하는 요소들의 목표 스펙인 최종목표규격(MTS) 등이다.

오씨는 삼성전자의 핵심기술을 유출해 청두가오전으로 이직, 공정설계실장으로 일하며 핵심적인 역할을 한 것으로 파악됐다.

유출된 삼성전자의 18나노급 공정 개발 비용은 약 2조3000억원, 20나노급 공정 개발 비용은 약 2조원에 달한다는 게 경찰의 설명이다. 또 20나노급 D램 개발을 위해 최소 1000명 이상의 연구원이 투입됐다. 양산까지 포함하면 투입된 인원은 2000명에 이른다.

경찰 관계자는 "청두가오전의 경우 현재 사업이 중단된 상태고 20나노급 D램 반도체 양산에 성공하지 못했다"며 "중국 내 다른 기업이나 혹은 다른 외국 기업으로 해당 기술이 넘어갔다는 정황은 아직 확인하지 못했으며 지속적으로 모니터링 중"이라고 설명했다.

경찰은 이번 유출 사건과 관련, 청두가오전로 이직한 임직원들도 추가 입건해 수사를 진행 중이다. 아울러 국내 핵심 기술 인력이 해외로 이직하는 과정에서 기술 유출을 위한 불법 인력송출이 있었는지 등도 들여다보고 있다.

경찰 관계자는 "정확한 인원은 밝힐 수 없지만 약 30명 정도가 입건된 상황"이라며 "기술을 유출한 추가 국내 기술 인력 및 이와 관련된 인력 송출 혐의에 대해서도 엄정 수사할 것"이라고 했다.

한편 최씨는 삼성전자 반도체 공장 설계도를 빼내 20나노급 D램 반도체를 생산하는 공장을 중국에 세운 혐의로 수원지법에서 재판을 받고 있다. 최씨는 지난해 6월 구속됐다가 같은해 11월 석방된 바 있다.

kyu0705@fnnews.com 김동규 기자