[단독] 한미반도체, HBM 핵심 ‘TC본더’ 삼성전자 독점공급 논의

한미반도체 '듀얼 TC 본더 그리핀' 장비 출고식(사진=한미반도체 제공)

반도체 장비 전문업체 한미반도체가 삼성전자와 초고성능 메모리 반도체인 고대역폭메모리(HBM) 공정용 ‘TC 본더(열압착 본더)’ 장비의 공급 방안을 논의 중으로 알려졌다. 그동안 SK하이닉스 공급 업체로서 수주를 받았는데 이번에 삼성전자와 협의에서도 유의미한 성과를 낸다면 고객사 다변화를 통해 점유율을 높일 것으로 기대된다.

28일 관련 업계에 따르면 한미반도체는 삼성전자와 HBM 생산 공정에 필요한 TC 본더 장비를 독점적으로 공급하는 방안을 검토하고 있다. TC 본더는 열압착 본딩 장비로 웨이퍼를 서로 연결해 2.5D, 3D 구조의 반도체 구성을 가능하게 한다. 이는 대화형 인공지능(AI) ‘챗GPT’를 구현하는 HBM 생산에 필요한 핵심장비로 주목을 받고 있다.

HBM은 최근 AI용 메모리로 각광을 받고 있다. 북미 지역 정보기술(IT) 업체들이 투자를 늘리면서 HBM 시장도 빠르게 성장했고 내년 공급 부족 심화 전망까지 나오고 있다. 삼성전자는 이런 상황에서 올 연말과 내년초 HBM3(4세대) 공급을 본격화하고 HBM3E(5세대) 양산화도 추진할 계획이다.

삼성전자는 HBM 공급 강화를 목적으로 캐파(CAPA) 확장을 위한 증설 투자를 추진하고 있다. 증권가에 따르면 삼성전자는 HBM 캐파를 올해 2분기 월 2만5000개에서 4분기 15만~17만개로 빠르게 증설하려는 계획을 잡고 있다. 올해말과 내년초에 걸쳐 엔비디아(Nvidia), AMD 등 고객사에 공급할 예정이다.

한미반도체는 이처럼 HBM 수요가 성장하는 시장 환경을 토대로 존재감을 보이고 있다. 특히 TC 본더는 이 같은 HBM 생산 공정에 필수적인 장비로 꼽힌다. 한미반도체는 앞서 2017년 주요 고객사인 SK하이닉스와 함께 ‘듀얼 TC 본더(DUAL TC Bonder)’를 개발해 공급했다. 이는 기존의 TC 본더와 비교해 처리량이 4배 높다.

한미반도체는 그간 연구개발(R&D) 투자를 통해 기술 역량을 강화했다. 특히 올 8월에는 HBM 장비 수요 대응을 위해 '본더팩토리'를 가동해 선제적인 생산능력 확보에 나섰다. 이를 통해 하반기 ‘듀얼 TC 본더 그리핀(DUAL TC Bonder 1.0 Griffin)’ 장비가 SK하이닉스로부터 창사 최대 규모인 600억원 규모의 수주를 받았다. 이번에 삼성전자에 TC 본더 공급 계약까지 성사시키면 국내 양대 반도체 기업의 HBM 공정에 모두 고객사로 확보하는 셈이다.

반도체 후공정 업황은 HBM 시장의 성장의 수혜를 받을 전망이다. 후공정 과정에서 핵심으로 꼽히는 본딩 작업은 반도체 칩의 수직적층(Stacking) 구조가 많을수록 중요성이 커진다. 한미반도체는 원천 기술을 기반으로 다양한 장비를 선보이며 미래 먹거리 확보에 나서고 있다. 특히 로직 다이와 메모리 다이를 수직으로 적층하는 하이브리드 본딩 공정에 사용되는 장비도 개발 중이다.

한편 한미반도체는 고객사 다각화와 관련한 질문에 “사실 무근으로 논의 중이 아니다”고 답했다.

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