[M 투데이 이상원기자] 삼성전자가 파운드리(반도체 위탁생산) 사업부에서 반도체 웨이퍼 결함이 발생했다는 일부 언론보도에 대해 "사실이 아니다"고 밝혔다.

국내 일부 매체는 26일 최근 삼성전자 파운드리 웨이퍼 제조 공장에서 품질에 영향을 미치는 결함(affect)이 발생했으며 이 때문에 수율에 영향을 미치는 차질이 발생한 것으로 전해졌다고 보도했다.

증권가에서도 삼성전자 파운드리 웨이퍼 제조 공장에서 3나노(㎚·10억 분의 1m) 2세대 공정 중 2500랏(lot) 규모의 결함이 발생해 1조 원 가량의 손실이 발생했고, 이 웨이퍼들을 모두 폐기 처분해야 한다는 루머가 돌았다.

이에 대해 삼성전자는 보도 내용은 "사실이 아니다"라고 해명했다.

앞서 또 다른 국내 매체도 삼성전자의 엑시노스 2500 프로세서 시험 생산 수율이 20%에도 못 미쳤다고 보도했다.

삼성전자는 3나노 2세대 공정을 활용해 차세대 애플리케이션 프로세서(AP)인 '엑시노스 2500'을 생산할 계획이다.

엑시노스 2500은 SF3 공정을 적용한 삼성 최초의 스마트폰 SoC로, 이전 세대 4나노 핀펫(FinFET) 공정 대비 에너지 효율성과 밀도가 20~30% 향상된 것으로 알려져 있다.

삼성은 3nm 공정을 통해 보다 향상된 공정 기술과 경쟁력 있는 가격을 제공할 수 있을 것으로 기대하고 있다.