온세미, AI·전기차·산업용 전력 설계 단순화 혁신 툴 발표

SiC MOSFET·게이트 드라이버 최적 조합 추천
설계 초기 손실·발열 검증…개발 부담 완화 기대

온세미가 실리콘카바이드(SiC) 모스펫(MOSFET·전계효과트랜지스터)과 게이트 드라이버 조합을 추천하는 온라인 설계 환경 ‘엘리트 페어링 스튜디오(Elite Pairing Studio)’를 출시했다. (사진=온세미)

[더구루=정예린 기자]미국 전력반도체 기업 '온세미'가 인공지능(AI) 데이터센터와 전기차, 산업용 전력 시스템 고객을 겨냥한 설계 지원 플랫폼을 강화한다. 전력반도체와 구동 부품의 조합 검증을 온라인으로 앞당겨 고객사의 개발 부담을 낮추고 고성능 전력 시장 대응력을 높일 것으로 기대된다.

9일 온세미에 따르면 회사는 최근 실리콘카바이드(SiC) 모스펫(MOSFET·전계효과트랜지스터)과 게이트 드라이버 조합을 추천하는 온라인 설계 환경 ‘엘리트 페어링 스튜디오(Elite Pairing Studio)’를 출시했다. 현재 온세미 웹사이트에서 이용할 수 있으며, 오는 11일(현지시간)까지 독일 뉘른베르크에서 열리는 전력전자 전시회 'PCIM 엑스포 2026'에서 시연된다.

엘리트 페어링 스튜디오는 엔지니어가 전력 시스템 요구 조건을 입력하면 온세미 제품군 안에서 적합한 SiC MOSFET과 게이트 드라이버 조합을 제시하는 시뮬레이션 툴이다. 조합별 스위칭 특성과 손실, 전압 여유도, 파형 동작을 비교할 수 있어 설계 초기 단계에서 부품 선택에 따른 차이를 확인할 수 있다.

기존 전력 설계 과정은 데이터시트 비교와 엑셀 분석, 실험 테스트에 의존해 시간과 비용 부담이 컸다. 엘리트 페어링 스튜디오는 이 과정을 온라인 환경으로 옮겨 설계자가 전체 시스템 분석에 들어가기 전 어떤 조합이 전기를 덜 낭비하고 안정적으로 작동하는지 가늠하도록 돕는다.

전력전자 시스템에서는 전기를 빠르게 켜고 끄는 SiC MOSFET과 이를 제어하는 게이트 드라이버의 조합이 효율과 발열을 좌우한다. 궁합이 맞지 않으면 전력 손실이 커지고 전압 튐 현상이나 전자파 간섭 문제가 발생할 수 있다. 엘리트 페어링 스튜디오는 스위칭 타이밍, 게이트 전압·전류 파형, 전압 오버슈트 여유도, 턴온·턴오프 에너지 손실 등을 보여줘 설계자가 부품 조합별 장단점을 쉽게 비교하도록 지원한다.

온세미는 엘리트 페어링 스튜디오에서 도출한 결과를 시스템 단위 시뮬레이션으로 연결할 수 있도록 구성했다. 엔지니어는 추천 조합을 바탕으로 전력전자 회로 전체의 효율과 열 특성, 손실 성능을 추가로 검토할 수 있다. 부품 단위 선택에서 전체 전력 시스템 분석까지 이어지는 설계 절차를 줄이는 데 초점을 맞췄다.