[속보]"손해만 수십조" 삼성전자 기술 中에 빼돌린 임직원 무더기 재판행

檢, K반도체 국가핵심기술유출 수사 결과 발표
中창신메모리, 2016년 설립 직후 삼성 임원 영입
삼성 1.6조 투입 최고 개발 기술 탈취…수십조원 손해

[이데일리 백주아 기자] 검찰이 세계 1위 국내 반도체회사들의 국가핵심 기술을 불법 유출·사용해 최종 양산까지 성공한 중국 최초 D램 반도체 회사 창신메모리(CXMT) 임직원들을 재판에 넘겼다.

23일 서울 서초동 서울고검 청사에서 김윤용 서울중앙지검 정보기술범죄수사부 부장검사가 브리핑 발표를 하고 있다. (사진=백주아 기자)

서울중앙지검 정보기술범죄수사부(부장검사 김윤용)는 23일 삼성전자(005930)가 세계 최초로 개발한 10나노대 D램 국가핵심기술을 유출(산업기술보호법 위반) 혐의를 받는 CXMT 직원 5명을 불구속 기소했다. 지난 10월 개발을 총괄한 창신메모리 개발실장(전 삼성전자 임원) 등 핵심 개발인력 5명을 구속 기소한지 2달 만이다.

이들이 유출·사용한 기술은 삼성전자가 5년간 1조6000억원을 투자해 세계 최초로 개발한 10나노대 D램 공정기술로 수백 단계의 공정정보가 그대로 기재된 핵심정보다. 이들 범행에 따른 삼성전자의 손해는 최소 수십조원(2024년 추정 매출감소액만 5조원 상당)으로 예상된다.

설립 직후부터 치밀하게 계획된 기술탈취

CXMT는 중국 지방정부가 2조6000억원을 투자한 중국 최초·유일의 D램 반도체회사다. 검찰 조사 결과 CXMT는 지난 2016년 5월 설립 직후부터 삼성전자 출신 인력을 영입하고 핵심기술을 확보해 D램을 개발하는 등 치밀한 계획을 수립한 것으로 드러났다.

CXMT는 입수한 기술을 중국 설비에 맞도록 지속 수정·검증해 지난 2023년 중국 최초(세계 4번째)로 D램 양산에 성공했고 세계 최고 수준의 D램 공정기술을 확보, 고대역폭 메모리(HBM) 개발을 위한 발판을 마련했다.

검찰은 지난해 1월 관련 단서를 포착해 직접수사에 착수했고 중국 현지에서 이뤄진 개발 전과정의 범행을 확인했다. 지난해 1월 삼성전자 부장 출신으로 CXMT 1기 개발실장을 맡은 김모 씨를, 올 5월에는 삼성전자 연구원 출신 전 모씨를 국가핵심기술 부정취득 혐의로 각각 구속 기소했다. 김씨는 1심에서 기술유출 사건 역대 최고형량인 징역 7년을 선고받았다.

특히 이들은 △위장회사를 통한 입사 △인근 도시를 경유해 입국 △귀국시 핸드폰 및 USB 등 반납 △주기적으로 사무실 변경 △중국 이메일 사용 △항상 주위에 국정원 등이 있다고 생각하고 행동토록 지시 △출국금지 ·체포시 암호(♥♥♥♥, 하트 네개) 전파 등 향후 수사에 철저히 대비한 것으로 전해졌다.

이후 검찰은 또 삼성전자 연구원(인터폴 적색수배)이 CXMT로 이직하면서 수백 단계의 공정정보를 베껴 적어 유출했고, CXMT는 개발과정에서 SK하이닉스의 국가핵심기술을 추가로 확보한 사실도 확인했다.

검찰 이번 수사로 CXMT 개발에 참여했던 개발진들에 대한 철저한 수사를 통해, 국내에서 발생한 유출 범행은 물론 중국 현지에서 이루어진 개발범행 전모를 밝혀냈다.

특히 유출행위에 직접 가담한 1기 개발실장, 투자담당자 뿐 아니라, 이들로부터 유출정보를 전달받아 중국 현지에서 개발행위를 진행한 2기 개발실장, 개발팀장, 개발수석을 모두 구속했다.

검찰 관계자는 “‘국외에서 이루어진 기술유출범죄라도 반드시 그에 상응하는 처벌이 이루어진다’는 강력한 메시지를 전파해 향후 국가핵심기술의 국외 유출범행 방지에 큰 역할을 할 것으로 기대된다”며 “국가경제 및 기술안보를 심각하게 위협하는 산업기술의 국외 유출범죄에 엄정 대응하는 한편, 피고인들이 범죄에 상응하는 형을 받도록 공소유지에 만전을 기할 예정”이라고 말했다.

백주아 (juabaek@edaily.co.kr)