삼성 이어 SK도 HBM4E 출격…차세대 AI 메모리 전쟁 서막

SK하이닉스, HBM4E 12단 샘플 주요 고객사 공급
엔비디아 차세대 플랫폼 겨냥…주도권 경쟁 본격화

SK하이닉스 HBM4E. SK하이닉스 제공

삼성전자와 SK하이닉스가 차세대 인공지능(AI) 메모리 시장 선점 경쟁에 본격 돌입했다. 삼성전자가 지난달 7세대 고대역폭메모리(HBM4E) 12단 샘플을 세계 최초로 출하한 데 이어 SK하이닉스도 주요 고객사에 샘플 공급을 시작하면서다.

HBM4E는 엔비디아를 비롯한 글로벌 빅테크의 차세대 AI 플랫폼에 탑재될 유력 제품으로 꼽힌다. 양사가 차세대 제품 개발과 고객 검증 일정을 앞당기면서 AI 메모리 패권 경쟁도 새로운 국면에 접어들고 있다는 평가가 나온다.

SK하이닉스는 차세대 AI용 초고성능 D램인 HBM4E 12단 샘플을 주요 고객사에 공급했다고 18일 밝혔다.

HBM4E는 기존 HBM4보다 성능과 전력 효율을 높인 제품이다. 핀당 최대 16Gbps의 데이터 처리 속도를 구현했으며 에너지 효율은 20% 이상 개선했다. AI 학습과 추론 과정에서 요구되는 대규모 데이터 처리 성능을 강화한 것이 특징이다.

SK하이닉스는 어드밴스드 MR-MUF(반도체 칩 적층 후 칩 사이를 보호재로 채워 열 방출과 구조 안정성을 높이는 패키징 공정) 공정을 적용해 12단 적층 기준 48GB 용량을 구현했다. 또 열 저항을 HBM4 대비 약 17% 낮춰 고성능 컴퓨팅 환경에서도 안정적으로 동작할 수 있도록 설계했다.

SK하이닉스 HBM4E. SK하이닉스 제공

HBM4E는 차세대 AI 반도체 성능을 좌우할 핵심 부품으로 평가받는다. 업계에서는 엔비디아의 차세대 AI 플랫폼 '루빈(Rubin)' 이후 제품군에 적용될 가능성이 높은 것으로 보고 있다.

앞서 삼성전자는 지난 5월 1c D램과 4나노미터(㎚) 파운드리 공정을 적용한 HBM4E 12단 샘플을 세계 최초로 출하했다고 발표했다. 삼성전자는 전작인 HBM4 대비 속도를 20%, 용량을 30% 이상 높였다고 밝힌 바 있다.

이에 따라 삼성전자와 SK하이닉스는 HBM3E에 이어 HBM4E에서도 고객사 확보와 양산 시점을 둘러싼 경쟁을 벌일 것으로 예상된다.

HBM 시장은 AI 서버 투자 확대와 함께 폭발적으로 성장하고 있으며, 차세대 제품 공급 능력이 글로벌 AI 공급망 경쟁력의 핵심 요소로 부상하고 있다.

안현 SK하이닉스 개발총괄 사장(CDO)은 "그동안 쌓아온 업계 최고의 기술 경쟁력과 양산 역량을 HBM4E 제품에서도 이어가, AI 혁신을 지속적으로 리드해 갈 수 있는 기반을 마련했다"며 "파트너들과 협력을 바탕으로 시장이 요구하는 가치를 선제적으로 구현해, 풀 스택 AI 메모리 크리에이터로서의 기술 리더십을 공고히 하겠다"고 말했다.

이상현 기자 ishsy@dt.co.kr