“대한민국에 손실 입혀”...삼성전자 반도체 기술 中에 유출한 前연구원 1심 징역 7년

서울 서초구 삼성전자 서초사옥에 사기가 펄럭이고 있다. 권욱 기자

삼성전자(005930) 핵심 반도체 기술을 중국 경쟁기업으로 유출한 혐의를 받는 전직 연구원이 1심에서 징역 7년을 선고받았다.

서울중앙지법 형사합의28부(부장판사 한대균)는 22일 산업기술의 유출 방지 및 보호에 관한 법률 위반(국가핵심기술 국외 유출 등) 등 혐의를 받는 삼성전자 전 직원 전 모 씨에게 징역 7년을 선고했다.

전 씨는 삼성전자에서 중국 디램(DRAM) 반도체 회사 창신메모리테크놀로지(CXMT)로 이직한 뒤 개발비 1조 6000억 원의 삼성전자 D램 공정 국가 핵심기술을 부정 취득·사용한 혐의를 받는다. CXMT는 중국 지방 정부가 2조 6000억 원을 투자해 설립한 중국 최초의 D램 반도체 회사다.

검찰은 전 씨가 CXMT로 이직하는 과정에서 삼성전자의 D램 반도체 공정 기술을 확보하고 핵심 인력을 영입하는 등 ‘CXMT D램 반도체 개발 계획’을 수립했다고 판단했다. 전 씨는 CXMT로부터 ‘사인온 보너스’(채용 인센티브) 3억 원, 스톡옵션(주식매수선택권) 3억 원 등 약 6년간 29억 원 상당을 지급받았다.

재판부는 중국 기업에 유출된 반도체 핵심 공정 기술(PRP·Process Recipe Plan) 등이 국가핵심기술에 포함된다고 판단했다. 또 전 씨가 삼성전자 핵심 기술 유출을 공모했다고 인정했다.

재판부는 “우리나라 대기업이 거액을 들여 개발한 핵심 정보를 취득해 외국에 사용하게 했다”며 “기업은 물론 대한민국에까지 손실을 입혔기 때문에 엄한 처벌을 할 수밖에 없다”고 질타했다.

앞서 재판에 넘겨진 김씨는 지난 2016년 CXMT로 이직하며 핵심 공정 관련 기술자료를 유출한 혐의로 2심에서 징역 6년과 벌금 2억 원을 선고받았다가 대법원에서 파기환송돼 현재 서울고법이 심리하고 있다. 대법원은 원심이 부정경쟁방지법상 영업비밀의 ‘취득’, ‘사용’, ‘제3자 누설’ 등을 각각 독립적으로 판단하지 않았다며 사건을 돌려보냈다. 원심은 공범끼리 영업비밀을 주고받은 ‘누설’ 행위가 ‘사용’ 행위에 포함된다고 판단했으나, 이를 별개 범죄로 봐야한다는 취지다.

김성태 기자 kim@sedaily.com