진화하는 中 창신메모리… 웨이퍼 한 장서 칩 50% 더 뽑아내

기술 수준 올려 삼전닉스 추격

중국 안후이성 허페이에 있는 창신메모리테크놀로지스(CXMT) 본사./로이터연합뉴스

중국 D램 업체 창신메모리(CXMT)가 웨이퍼(반도체 원판) 한 장에서 생산하는 칩 수를 크게 늘린 차세대 미세 공정 양산에 들어갔다. 대규모 공장 증설로 생산량을 늘려온 데 이어 생산 기술까지 크게 끌어올리면서 삼성전자·SK하이닉스 추격에 속도를 내고 있는 것이다.

창신메모리는 20일 중국 안후이성 허페이에서 열린 ‘2026 세계제조업대회’에서 D램 메모리 셀의 핵심 구조 간격을 11.95나노미터(㎚·10억분의 1m)까지 줄인 5세대 D램 공정을 개발해 양산에 들어갔다고 밝혔다. 미세화 기술만 놓고 보면 삼성전자와 SK하이닉스가 2010년대 후반 양산했던 D램에 근접한 것으로 평가된다.

창신메모리는 미국의 첨단 장비 제재로 극자외선(EUV) 노광장비를 사용하지 못하는 대신 회로 패턴을 여러 차례 나눠 새기는 방식으로 미세화를 구현했다. 그 결과 이전 세대보다 웨이퍼 한 장에서 만들 수 있는 칩 수가 최소 50% 늘었다고 밝혔다. 다만 이는 불량 여부를 가리기 전 웨이퍼에서 만들 수 있는 전체 칩 수 기준으로, 실제 정상 제품 생산량이나 수율이 50% 높아진 것은 아니다. 업체는 이 공정을 적용해 24기가비트(Gb) 저전력 D램(LPDDR5X) 2종 양산에 들어갔다고 밝혔다.

창신메모리는 그동안 공격적인 증설로 메모리 점유율을 높여왔다. 현재 12인치 D램 생산 능력은 월 30만장(웨이퍼 기준)으로 추정되는데 업계에선 2028년에 월 60만장 수준까지 늘어날 것이라는 전망이 나온다. 여기에 미세 공정 전환으로 웨이퍼당 생산량까지 늘어나면 시장점유율 확대 속도가 더 빨라질 수 있다는 분석이다. 시장조사 기관 카운터포인트 리서치에 따르면 창신메모리의 올 2분기 D램 점유율은 10%로 처음 두 자릿수를 기록했다.

최근에는 사업 영역도 넓히고 있다. 창신메모리는 베이징 신규 공장에 낸드플래시 연구·개발 생산 라인을 구축하고 AI용 저장장치를 만드는 중국 업체와 공급 협의도 진행 중인 것으로 알려졌다.